联华电子股份有限公司唐启轩获国家专利权
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龙图腾网获悉联华电子股份有限公司申请的专利半导体元件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114639732B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011478662.1，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权半导体元件及其制作方法是由唐启轩;黄仲廷;陈柏勋;陈俊仁;林钰书设计研发完成，并于2020-12-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体元件及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中该制作半导体元件的方法为，首先形成一栅极结构于一基底上，然后形成一第一间隙壁于该栅极结构旁，形成一第二间隙壁于该第一间隙壁旁，形成一外延层于第二间隙壁旁，形成第二遮盖层于外延层上，再形成第一遮盖层于第二遮盖层上，其中第一遮盖层上表面包含V形，且第一遮盖层及第二遮盖层包含不同材料。
本发明授权半导体元件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种制作半导体元件的方法，其特征在于，包含： 形成栅极结构于基底上； 形成间隙壁于该栅极结构旁； 形成外延层于该间隙壁旁，其中该外延层的上表面齐平或高于该基底的上表面；以及 形成第一遮盖层于该外延层上，其中该第一遮盖层包含V形上表面，该V形上表面的底部高于该基底的上表面，其中该第一遮盖层直接接触该间隙壁。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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