西安电子科技大学汤晓燕获国家专利权
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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种阳极金属覆盖结表面的碳化硅功率器件刻蚀终端获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114613862B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210109325.8，技术领域涉及：H10D8/00；该发明授权一种阳极金属覆盖结表面的碳化硅功率器件刻蚀终端是由汤晓燕;周瑜;袁昊;宋庆文;张玉明设计研发完成，并于2022-01-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种阳极金属覆盖结表面的碳化硅功率器件刻蚀终端在说明书摘要公布了：本发明提供的一种阳极金属覆盖结表面的碳化硅功率器件刻蚀终端包括p+外延层1、基区2、N+衬底3、SiO2钝化层4、背部电极5以及正面电极6；本发明二次刻蚀后阳极金属覆盖PN结侧面和区域2基区上表面，相比于现有技术本发明通过阳极金属覆盖负角处结表面设计方式，可以改变电场集中点处的电位，因此本发明可以降低器件的表面电场，提高器件的击穿电压和击穿效率。
本发明授权一种阳极金属覆盖结表面的碳化硅功率器件刻蚀终端在权利要求书中公布了：1.一种阳极金属覆盖结表面的碳化硅功率器件刻蚀终端，其特征在于，包括： p+外延层1、基区2、N+衬底3、SiO2钝化层4、背部电极5以及正面电极6； 所述基区2位于所述N+衬底3之上，所述p+外延层1位于所述基区2之上，所述p+外延层1、基区2以及N+衬底3自下而上呈梯形台阶结构；所述正面电极6覆盖所述p+外延层1以及所述基区2的上表面内侧部分；所述N+衬底3外侧设置有台阶面，所述台阶面使N+衬底3上部分呈梯形，下部分呈矩形；所述SiO钝化层4自位于基区2上未被所述正面电极6覆盖的外侧部分开始，自上而下包裹所述基区2的外侧部分以及N+衬底3梯形台阶面，所述背部电极5位于所述N+衬底3的矩形下表面。
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