联华电子日本株式会社大川成实获国家专利权
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龙图腾网获悉联华电子日本株式会社申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114597262B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111464542.0，技术领域涉及：H10D30/62；该发明授权半导体装置是由大川成实设计研发完成，并于2021-12-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置在说明书摘要公布了：半导体装置包括半导体衬底、鳍状结构、栅极结构、第一掺杂区、第二掺杂区和中间区。鳍状结构设置在半导体衬底的顶表面上并在竖直方向上从其延伸。栅极结构设置为跨越鳍状结构的一部分。第一掺杂区的至少一部分设置在鳍状结构中。第二掺杂区设置在鳍状结构中并且在竖直方向上设置在第一掺杂区上方。中间区设置在鳍状结构中。第二掺杂区通过中间区与第一掺杂区分开，并且栅极结构的底表面在竖直方向上低于第一掺杂区的顶表面或与其共面。
本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，包括： 半导体衬底； 鳍状结构，设置在所述半导体衬底的顶表面上并在竖直方向上从所述半导体衬底的顶表面向上延伸； 栅极结构，设置为跨越所述鳍状结构的一部分； 源极漏极区和沟道区，设置在所述鳍状结构中，其中所述栅极结构覆盖所述沟道区； 第一掺杂区，其中所述第一掺杂区的至少一部分设置在所述鳍状结构中； 第二掺杂区，设置在所述鳍状结构中并在所述竖直方向上设置在所述第一掺杂区上方；以及 中间区，设置在所述鳍状结构中，其中所述第二掺杂区通过所述中间区与所述第一掺杂区分开，并且所述栅极结构的底表面在所述竖直方向上低于所述第一掺杂区的顶表面或与所述第一掺杂区的顶表面共面，所述第二掺杂区和所述源极漏极区位于所述沟道区的同一侧，所述第二掺杂区的第一部分在所述竖直方向上位于所述源极漏极区的正下方，所述第二掺杂区的第二部分位于所述源极漏极区与所述沟道区之间。
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