日立能源瑞士股份公司S·沃思获国家专利权
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龙图腾网获悉日立能源瑞士股份公司申请的专利应变增强型SiC功率半导体器件和制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114207838B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080056228.6，技术领域涉及：H10D64/68；该发明授权应变增强型SiC功率半导体器件和制造方法是由S·沃思;L·克诺尔设计研发完成，并于2020-08-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本应变增强型SiC功率半导体器件和制造方法在说明书摘要公布了：公开了一种SiC晶体管器件，包括：SiC半导体衬底，SiC半导体衬底具有顶表面和底表面；形成在SiC半导体衬底的顶表面上的SiC外延层，该SiC外延层具有顶表面；形成在SiC外延层的顶表面中的源极结构，该源极结构具有顶表面；源极接触结构，源极接触结构电耦接到源极结构的顶表面；栅极结构，栅极结构包括栅极氧化物、金属栅极和栅极绝缘部；在SiC半导体衬底的底表面上的第一背侧金属接触件；在第一背侧金属接触件上的应力诱导层；在应力诱导层上的第二背侧金属接触件。
本发明授权应变增强型SiC功率半导体器件和制造方法在权利要求书中公布了：1.一种SiC晶体管器件，包括： SiC半导体衬底31，所述SiC半导体衬底具有顶表面和底表面； 形成在所述SiC半导体衬底31的顶表面上的SiC外延层32，所述SiC外延层32具有顶表面； 形成在所述SiC外延层32的顶表面中的源极结构35，所述源极结构35具有顶表面； 源极接触结构，所述源极接触结构电耦接到所述源极结构35的顶表面； 栅极结构，所述栅极结构包括栅极氧化物36、金属栅极37和栅极绝缘部40； 在所述SiC半导体衬底31的底表面上的第一背侧金属接触件39； 其特征在于： 在所述第一背侧金属接触件39上的第一应力诱导层41，其中所述第一应力诱导层41被形成为向所述器件的沟道诱导拉应力，并且所述第一应力诱导层41被结构化；以及 在经结构化的所述第一应力诱导层41上的第二背侧金属接触件42，其中所述第一背侧金属接触件39与所述第二背侧金属接触件42电接触。
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