买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利半导体结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114203718B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111494129.9，技术领域涉及：H10B41/35；该发明授权半导体结构的形成方法是由胡君;钱文生;张可钢;王宁设计研发完成，并于2021-12-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构的形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底包括：器件区；在所述衬底内形成第一阱；在形成所述第一阱之后，在所述器件区上形成选择栅极以及位于所述选择栅极两侧的存储栅极；在形成所述选择栅极和存储栅极之后，在所述选择栅极和存储栅极两侧的所述衬底内形成第二阱，且部分所述第二阱还位于所述存储栅极底部。可以减少一次光刻，且避免对选择栅极沟道直接注入，从而提高器件性能。

本发明授权半导体结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底包括：器件区和逻辑区； 在所述衬底内形成第一阱； 在形成所述第一阱之后，在所述器件区上形成第一栅介质层； 在所述器件区上形成选择栅极以及位于所述选择栅极两侧的存储栅极，形成所述存储栅极和选择栅极的方法包括：在所述衬底上形成第一栅极材料层，所述第一栅极材料层位于所述第一栅介质层上；在所述第一栅极材料层上形成掩膜层，所述掩膜层内具有位于器件区上的第一开口，所述第一开口暴露出部分第一栅极材料层；在所述第一开口侧壁形成第一侧墙；以所述掩膜层和所述第一侧墙为掩膜，刻蚀所述第一栅极材料层和所述第一栅介质层直至暴露出所述衬底表面为止，在所述第一栅极材料层和所述第一栅介质层内形成第二开口；在所述第一侧墙侧壁和所述第二开口侧壁形成第二侧墙；在形成所述第二侧墙之后，在所述第一开口和第二开口内形成选择栅极；在形成选择栅极之后，去除所述掩膜层；在去除所述掩膜层之后，以所述第一侧墙为掩膜刻蚀所述第一栅极材料层和所述第一栅介质层，在所述第一侧墙和所述衬底之间形成存储栅极和第三侧墙； 在形成所述选择栅极和存储栅极之后，在所述选择栅极和存储栅极两侧的所述衬底内形成第二阱，且部分所述第二阱还位于所述存储栅极底部。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海华虹宏力半导体制造有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。