上海新硅聚合半导体有限公司欧欣获国家专利权
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龙图腾网获悉上海新硅聚合半导体有限公司申请的专利一种压电衬底的制备方法、压电衬底及声波器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114189224B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111432984.7，技术领域涉及：H03H3/08；该发明授权一种压电衬底的制备方法、压电衬底及声波器件是由欧欣;柯新建;黄凯设计研发完成，并于2021-11-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种压电衬底的制备方法、压电衬底及声波器件在说明书摘要公布了：本发明涉及声波器件技术领域，特别涉及一种压电衬底的制备方法、压电衬底及声波器件。方法包括：获取支撑衬底；在支撑衬底上制作载流子俘获层；在载流子俘获层上制作介质层；在介质层上制作压电薄膜层；其中，支撑衬底靠近载流子俘获层的表面为第一表面，介质层靠近载流子俘获层的表面为第二表面；在介质层上制作压电薄膜层之前还包括在第一表面与第二表面之间制作散射界面，散射界面用于散射杂波。载流子俘获层可以有效抑制表面寄生电导效应，防止衬底的电阻率下降，从而改善压电衬底的损耗和失真。散射界面可以有效抑制声波器件中由多层结构的界面反射引起的杂波，从而提高器件在高频下的工作稳定性。
本发明授权一种压电衬底的制备方法、压电衬底及声波器件在权利要求书中公布了：1.一种压电衬底的制备方法，其特征在于，包括： 获取支撑衬底101； 在所述支撑衬底101上制作载流子俘获层102； 在所述载流子俘获层102上制作介质层104； 在所述介质层104上制作压电薄膜层105； 其中，所述支撑衬底101靠近所述载流子俘获层102的表面为第一表面，所述介质层104靠近所述载流子俘获层102的表面为第二表面；所述在所述介质层104上制作压电薄膜层105之前还包括在所述第一表面与所述第二表面之间制作散射界面110，所述散射界面110用于散射杂波，所述散射界面110的粗糙度为10nm-100nm； 所述在所述第一表面与所述第二表面之间制作散射界面110，包括： 将所述支撑衬底101加热到预设温度； 采用预设能量的惰性气体离子按预设倾斜角度对所述第一表面进行轰击，以在所述第一表面制作出所述散射界面110。
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