买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉武汉华星光电技术有限公司申请的专利阵列基板的制造方法及显示面板获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114023698B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111262201.5，技术领域涉及：H01L21/77；该发明授权阵列基板的制造方法及显示面板是由吴咏波设计研发完成，并于2021-10-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本阵列基板的制造方法及显示面板在说明书摘要公布了：本申请实施例公开了一种阵列基板的制造方法及显示面板，在阵列基板的制造过程中，设置测试键，对第一金属层进行第一次图案化处理形成晶体管的第一子金属件，以及测试键的第二子金属件时，第二子金属件的第二边缘超出第二子半导体件的第一边缘，对第一子半导体件进行重参杂时不会对测试键的第二子半导体件的测试区进行重掺杂；然后对第一金属层进行第二次图案化处理后，第二子半导体件的第一边缘超出第二子金属件的第二边缘，对第二子半导体件露出的部位和第一子半导体件进行轻掺杂；测试键的第二子半导体件的第一边缘的部位只有轻掺杂元素，避免了重掺杂元素的干扰，可以很好的监控和测试出轻掺杂元素的浓度。

本发明授权阵列基板的制造方法及显示面板在权利要求书中公布了：1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括如下步骤： 步骤S100：提供一基底； 步骤S200：在所述基底上形成半导体层，图案化所述半导体层同时形成晶体管的第一子半导体件，以及测试键的第二子半导体件，所述第二子半导体件包括第一边缘； 步骤S300：在所述半导体层上形成第一绝缘层； 步骤S400：在所述第一绝缘层上形成第一金属层，对所述第一金属层进行第一次图案化处理形成所述晶体管的第一子金属件，以及所述测试键的第二子金属件，其中，所述第二子金属件包括第二边缘，所述第二子半导体件的第一边缘与所述第二子金属件的第二边缘对应，所述第二边缘超出所述第一边缘，对所述第一子半导体件进行重掺杂处理； 步骤S500：对所述第一金属层进行第二次图案化处理使得所述第一子金属件和所述第二子金属件的宽度减小，其中，所述第一边缘超出所述第二边缘，对所述第一子半导体件和第二子半导体件进行轻掺杂处理； 步骤S600：在所述第一金属层上形成第二绝缘层； 步骤S700：在所述第二绝缘层上形成第二金属层，对所述第二金属层进行图案化处理形成所述晶体管的源极和漏极； 其中，在所述阵列基板的制造方法制备的阵列基板中，所述第一子半导体件包括第一轻掺杂区域和重参杂区，所述第二子半导体件包括第二轻掺杂区，所述第二子半导体件无重参杂区； 在所述步骤S700中，对所述第二金属层进行图案化处理时还形成了第一连接走线、第二连接走线、第一测试端子和第二测试端子，所述第一连接走线的两端分别连接所述第二子半导体件的所述第一边缘的一端和所述第一测试端子，所述第二连接走线的两端分别连接所述第二子半导体件的所述第一边缘的另一端和所述第二测试端子。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人武汉华星光电技术有限公司，其通讯地址为：430079 湖北省武汉市东湖开发区高新大道666号生物城C5栋；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。