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龙图腾网获悉江南大学申请的专利一种应用于STT-MRAM的写验证电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113990366B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111264111.X，技术领域涉及：G11C11/16；该发明授权一种应用于STT-MRAM的写验证电路是由姜岩峰;成关壹设计研发完成，并于2021-10-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种应用于STT-MRAM的写验证电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种应用于STT‑MRAM的写验证电路，属于计算机存储技术领域。所述电路包括：写操作完成检测电路和写自终止电路；所述写操作完成检测电路用于判断写操作是否完成，并产生检测反馈信号COP；所述写自终止电路根据所述检测反馈信号COP产生写操作信号和终止写操作信号。本发明的写操作完成检测电路，根据写操作过程中STT‑MRAM状态的变化，实时监控写操作的状态，并产生检测反馈信号作用于写自终止电路，一旦检测到写操作完成，写自终止电路及时产生写驱动电路终止信号，关闭写驱动，结束写操作；本发明的写验证电路简化了写操作过程，并且可以在写操作完成后及时关闭写驱动，与传统写操作相比，可降低50％的功耗。

本发明授权一种应用于STT-MRAM的写验证电路在权利要求书中公布了：1.一种应用于STT-MRAM的写验证电路，其特征在于，所述电路包括：写操作完成检测电路和写自终止电路；所述写操作完成检测电路用于判断写操作是否完成，并产生检测反馈信号COP；所述写自终止电路根据所述检测反馈信号COP产生写操作信号和终止写操作信号； 所述写操作完成检测电路包括：电流镜、参考电阻、比较器和缓冲器； 所述电流镜用于将流过STT-MRAM的写电流进行复制，并产生复制写电流；所述复制写电流通过参考电阻转换成复制写电压；所述复制写电压与参考电压通过所述比较器和所述缓冲器产生所述检测反馈信号COP； 所述写自终止电路通过对使能信号和所述检测反馈信号COP的计算产生驱动使能信号，所述驱动使能信号控制写驱动电路对STT-MRAM进行不同的写操作； 所述写验证电路的写操作验证过程包括： 写操作完成时，STT-MTJ状态发生翻转，阻值发生变化，流经STT-MRAM的写电流改变； 通过电流镜产生的复制写电流发生变化，从而输入比较器的复制写电压发生变化； 所述复制写电压通过比较器、缓冲器生成新的检测反馈信号COP； 所述自终止电路根据所述检测反馈信号COP的电平、所述使能信号计算生成终止写操作信号，写驱动电路关闭，写操作结束； 所述写操作完成检测电路还包括路径控制模块，所述写操作完成检测电路通过所述路径控制模块为不同的写操作提供不同的操作路径； 所述路径控制模块包括第一开关管MW1、第二开关管MW2、第三开关管MW3、第四开关管MW4、第五开关管MW5、第六开关管MW6；所述写操作完成检测电路通过控制开关管的开闭为不同的写操作提供不同的操作路径； 当STT-MRAM写“0”时，第一开关管MW1、第三开关管MW3、第五开关管MW5导通,第二开关管MW2、第四开关管MW4、第六开关管MW6关闭，所述复制写电压接所述比较器的正向输入端，所述参考电压VREF接所述比较器的负向输入端； 当STT-MRAM写“1”时，第一开关管MW1、第三开关管MW3、第五开关管MW5关闭,第二开关管MW2、第四开关管MW4、第六开关管MW6导通，所述复制写电压接所述比较器的负向输入端，所述参考电压VREF接所述比较器的正向输入端。

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