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龙图腾网获悉西安紫光国芯半导体有限公司申请的专利一种三维异质集成的可编程芯片结构和电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113629044B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111034518.3，技术领域涉及：H10D80/30；该发明授权一种三维异质集成的可编程芯片结构和电子设备是由左丰国;王玉冰;周骏;郭一欣;任奇伟设计研发完成，并于2021-09-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种三维异质集成的可编程芯片结构和电子设备在说明书摘要公布了：本发明涉及集成芯片技术领域，尤其涉及一种三维异质集成的可编程芯片结构和电子设备。可编程芯片结构中，至少两个芯片层叠连接；最外层芯片到目标芯片之间的层叠芯片结构中相邻的两个芯片中，第一芯片中靠近第二芯片的金属层，与第二芯片中靠近第一芯片的金属层，通过三维异质集成键合结构互连；若第一芯片远离第二芯片一侧还与第三芯片相邻，则靠近第二芯片的金属层互连第一芯片中靠近第三芯片的金属层；最外层界面上设有与目标芯片对应设置的目标引出结构；目标引出结构互连最外层芯片中靠近次外层芯片的金属层。本发明利用三维异质集成技术，减少了孔、互连线和IO结构的使用，增加芯片间的互连密度和互连速度，提高了集成芯片的集成度。

本发明授权一种三维异质集成的可编程芯片结构和电子设备在权利要求书中公布了：1.一种三维异质集成的可编程芯片结构，其特征在于，所述可编程芯片结构，包括：至少两个芯片；所述至少两个芯片中任一芯片为FPGA芯片和或包含eFPGA模块的芯片； 所述至少两个芯片层叠连接；每个所述芯片层叠设置功能层和衬底； 最外层芯片到目标芯片之间的层叠芯片结构中相邻的两个芯片中，第一芯片中靠近第二芯片的金属层，与所述第二芯片中靠近所述第一芯片的金属层，通过三维异质集成键合结构互连；其中，所述最外层芯片包括所述可编程芯片结构的最上层芯片和或所述可编程芯片结构的最底层芯片；若所述第一芯片远离所述第二芯片一侧还与第三芯片相邻，则所述靠近第二芯片的金属层互连所述第一芯片中靠近所述第三芯片的金属层； 所述最外层芯片上设有最外层界面；所述最外层界面上设有与所述目标芯片对应设置的目标引出结构；所述目标引出结构互连所述最外层芯片中靠近次外层芯片的金属层； 所述目标芯片包括第一目标芯片；所述目标引出结构包括与所述第一目标芯片对应设置的第一目标引出结构；其中，所述第一目标引出结构设置在所述最外层界面上互连第一硅通孔； 所述第一目标芯片中设有第一目标测试电路和第一功能电路； 所述第一功能电路的对外引出端，通过所述第一目标测试电路和第一层叠芯片结构中的各三维异质集成键合结构，互连所述第一目标引出结构；其中，所述第一层叠芯片结构为所述层叠芯片结构中从所述最外层芯片到所述第一目标芯片的部分； 所述最外层界面上还开设有第二硅通孔；所述第二硅通孔互连第二目标引出结构；所述最外层芯片中设有第二目标测试电路和第二功能电路； 所述第二功能电路的对外引出端，通过所述第二目标测试电路，互连所述第二目标引出结构。

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