日月光半导体制造股份有限公司吴玫忆获国家专利权
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龙图腾网获悉日月光半导体制造股份有限公司申请的专利半导体设备封装和其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112216781B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910843229.4，技术领域涉及：H10H20/85；该发明授权半导体设备封装和其制造方法是由吴玫忆设计研发完成，并于2019-09-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体设备封装和其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体设备封装，其包含载体、导电柱、粘附层和封装体。所述导电柱安置于所述载体上。所述导电柱具有背对所述载体的顶表面。所述粘附层安置于所述导电柱的所述顶表面上。所述封装体安置于所述载体上。所述封装体具有背对所述载体的顶表面。所述顶表面具有第一部分和第二部分。所述封装体的所述顶表面的所述第一部分和所述第二部分不连续。
本发明授权半导体设备封装和其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体设备封装，其包括： 载体； 导电柱，其安置于所述载体上，所述导电柱具有背对所述载体的顶表面； 焊膏层，其安置于所述导电柱的所述顶表面上；和 封装体，其安置于所述载体上，所述封装体具有背对所述载体的顶表面，所述顶表面具有第一部分和第二部分，且所述封装体界定空气腔和连接到所述空气腔的空气沟槽， 其中所述封装体的所述顶表面的所述第一部分和所述第二部分不连续，且所述焊膏层、所述导电柱与所述焊膏层的界面、及所述导电柱的至少一部分从所述封装体的所述空气沟槽暴露。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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