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龙图腾网获悉赛米控电子股份有限公司申请的专利用于驱控功率半导体开关的驱控装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112202431B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010644651.X，技术领域涉及：H03K17/082；该发明授权用于驱控功率半导体开关的驱控装置是由莱茵哈德·赫策;巴斯蒂安·福格勒设计研发完成，并于2020-07-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于驱控功率半导体开关的驱控装置在说明书摘要公布了：用于驱控功率半导体开关的驱控装置，其具有：驱控电路，它具有单片集成地构造的驱动电路和控制电路；与驱动电路导电连接的输出驱控端子，驱控装置具有恰好这一个输出驱控端子用来驱控功率半导体开关，驱动电路用于在输出驱控端子处产生用于接通和关断功率半导体开关的驱控电压，其具有用于接通功率半导体开关的第二电压值和用于关断功率半导体开关的与之相比更低的第一电压值，当输出驱控端子经由电流路径与功率半导体开关的控制端子导电连接时，控制电路在接收到关断指令时驱控驱动电路，使其将驱控电压从第二电压值降低到第一电压值，在此，控制电路驱控驱动电路，使得直到驱控电压降低到第一电压值为止的持续时间依赖于至少一个运行状态信号。

本发明授权用于驱控功率半导体开关的驱控装置在权利要求书中公布了：1.用于驱控功率半导体开关T的驱控装置，所述驱控装置具有： 驱控电路2，所述驱控电路具有单片集成构造的驱动电路TR和单片集成构造的控制电路ST，所述控制电路驱控所述驱动电路TR； 与所述驱动电路TR导电连接的用于驱控所述功率半导体开关T的输出驱控端子AS，其中，所述输出驱控端子AS被设置成用于经由电流路径SP与所述功率半导体开关T的控制端子G导电连接，其中，所述驱控装置1具有恰好这一个输出驱控端子AS用来驱控所述功率半导体开关T，其中，所述驱动电路TR被构造成用于在所述输出驱控端子AS处产生用于接通和关断所述功率半导体开关T的驱控电压Ua，其中，所述驱控电压Ua具有用于接通所述功率半导体开关T的第二电压值Uv2和用于关断所述功率半导体开关T的相对于所述第二电压值Uv2更低的第一电压值Uv1； 为了接收用于接通所述功率半导体开关T的接通指令EB并为了接收用于关断所述功率半导体开关T的关断指令AB而与所述控制电路ST导电连接的开关信号输入端子SE；以及 为了接收施加在所述功率半导体开关T的第一和第二负载电流端子C和E之间的功率半导体开关负载电压Uce、电接连有所述功率半导体开关T的变流器半桥的中间电路电压Udc、流过所述功率半导体开关T的负载电流I和或所述功率半导体开关T的温度TS中的至少一个运行状态信号与所述控制电路ST导电连接的至少一个运行状态输入端子BS； 其中，当所述输出驱控端子AS经由所述电流路径SP与所述功率半导体开关T的控制端子G导电连接时，所述控制电路ST被构造成用于在接收到关断指令AB时驱控所述驱动电路TR，使得所述驱动电路将所述驱控电压Ua从所述第二电压值Uv2降低到所述第一电压值Uv1，其中，在此，所述控制电路ST驱控所述驱动电路TR，使得直到所述驱控电压Ua降低到所述第一电压值Uv1为止的持续时间依赖于所述至少一个运行状态信号。

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