日东电工株式会社土生刚志获国家专利权
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龙图腾网获悉日东电工株式会社申请的专利密封用片和电子元件装置的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110676226B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910594955.7，技术领域涉及：H01L23/29；该发明授权密封用片和电子元件装置的制造方法是由土生刚志;大原康路;清水祐作;饭野智绘设计研发完成，并于2019-07-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本密封用片和电子元件装置的制造方法在说明书摘要公布了：本发明涉及密封用片和电子元件装置的制造方法。密封用片以形成将电子元件进行密封的密封层的方式加以使用，所述电子元件以与基板的厚度方向一个面相对的方式进行安装。密封层在将电子元件进行密封时，与基板中的不与电子元件相对的厚度方向一个面接触。密封用片的厚度T[mm]与密封层的25℃的拉伸储能模量E’[Nmm2]的乘积T×E’[Nmm]为3,000[Nmm]以上且5,000[Nmm]以下。
本发明授权密封用片和电子元件装置的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种密封用片，其特征在于，其以形成将电子元件进行密封的密封层的方式加以使用，所述电子元件以与基板的厚度方向一个面相对的方式进行安装，所述密封层在将所述电子元件进行密封时，与所述基板中的不与所述电子元件相对的所述厚度方向一个面接触， 所述密封层的最小厚度t1是与所述电子元件的厚度方向一个面接触的部分的厚度，为0.15mm以上、0.50mm以下， 所述密封用片的厚度T与所述密封层的25℃的拉伸储能模量E’的乘积T×E’为3,000Nmm以上且5,000Nmm以下， 其中，所述厚度T的单位为mm，所述拉伸储能模量E’的单位为Nmm2，所述乘积T×E’的单位为Nmm。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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