聚灿光电科技(宿迁)有限公司曹玉飞获国家专利权
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龙图腾网获悉聚灿光电科技(宿迁)有限公司申请的专利一种新型的LED结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223503335U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422969851.9，技术领域涉及：H10H20/841；该实用新型一种新型的LED结构是由曹玉飞;黄文光;张振;赵方方设计研发完成，并于2024-12-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种新型的LED结构在说明书摘要公布了：本实用新型涉及发光二极管技术领域，具体涉及一种新型的LED结构，包括芯粒、正极和负极，所述芯粒包括衬底、依次设于衬底表面的N型GaN、MQW量子阱层、设于衬底背面的反射层，所述反射层为金属反射层，所述金属发射层底面和芯粒四个侧面均设有保护层。本实用新型对LED的反光层结构进行优化，通过LED的背面蒸镀金属银等金属或者金属与其它材料的结合制备出具有更高反射效果的光学反射层，能够减少因DBR结构在非垂直角度反射效果差而造成的出光损失，从而提升LED的出光效率。同时在镀完金属反射层划片后，让芯粒四个侧面也镀上保护层，更好地保护住金属边以及芯片侧面。
本实用新型一种新型的LED结构在权利要求书中公布了：1.一种新型的LED结构，包括芯粒、正极和负极，所述芯粒包括衬底、依次设于衬底表面的N型GaN、MQW量子阱层、设于衬底背面的反射层，其特征在于：所述反射层为金属反射层，所述金属发射层底面和芯粒四个侧面均设有保护层。
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