安徽格恩半导体有限公司蔡琳榕获国家专利权
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龙图腾网获悉安徽格恩半导体有限公司申请的专利一种提高发光效率的芯片结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223503332U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421811125.8，技术领域涉及：H10H20/84；该实用新型一种提高发光效率的芯片结构是由蔡琳榕;唐如梦;吴东东设计研发完成，并于2024-07-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种提高发光效率的芯片结构在说明书摘要公布了：本实用新型涉及半导体芯片技术领域，具体公开了一种提高发光效率的芯片结构，该提高发光效率的芯片结构，包括基板，第一半导体层，有源层，第二半导体层，第一导电层，反射层，介质层，第一绝缘层，第二绝缘层，第二导电层，第三绝缘层，焊盘，贯穿所述第二半导体层及所述有源层，并延伸到所述第一半导体层内部的凹陷；所述介质层覆盖于所述反射层以及第一绝缘层表面，介质层一侧接触反射层和第一绝缘层，另一侧接触第二绝缘层，形成夹心结构；该提高发光效率的芯片结构，能够有效地阻挡了反射层中的Ag向相邻层中迁移，提高器件的稳定性，同时，介质层采用的材料吸光系数较小，折射率高，可以提高全反射效率，从而提高器件发光效率。
本实用新型一种提高发光效率的芯片结构在权利要求书中公布了：1.一种提高发光效率的芯片结构，其特征在于，包括基板，第一半导体层，有源层，第二半导体层，第一导电层，反射层，介质层，第一绝缘层，第二绝缘层，第二导电层，第三绝缘层，焊盘，贯穿所述第二半导体层及所述有源层，并延伸到所述第一半导体层内部的凹陷； 所述介质层覆盖于所述反射层以及第一绝缘层表面，并填充于反射层与第一绝缘层间的缝隙，介质层一侧接触反射层和第一绝缘层，另一侧接触第二绝缘层，形成夹心结构。
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