台湾积体电路制造股份有限公司吴少均获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体装置结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223503292U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422790024.3，技术领域涉及：H10D84/85；该实用新型半导体装置结构是由吴少均;张永丰设计研发完成，并于2024-11-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置结构在说明书摘要公布了：本实用新型提供一种半导体装置结构及其形成方法。结构包括第一源极漏极区、沿第一方向与第一源极漏极区相邻配置的第二源极漏极区、第三源极漏极区、沿第一方向与第三源极漏极区相邻配置的第四源极漏极区，具有第一端和与第一端相对的第二端的第一介电层，配置在第一和第三源极漏极区之间以及第二和第四源极漏极区之间的导电接点，导电接点配置在第一介电层中。该结构更包括配置在第一介电层中的导电特征，并且导电特征电性连接至导电接点。
本实用新型半导体装置结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置结构，其特征在于，包括： 第一源极漏极区； 第二源极漏极区，沿第一方向相邻配置于所述第一源极漏极区； 第三源极漏极区，其中所述第一源极漏极区和所述第三源极漏极区沿着与所述第一方向实质垂直的第二方向对齐； 第四源极漏极区，沿所述第一方向相邻配置于所述第三源极漏极区； 第一介电层，具有第一端和与所述第一端相对的第二端，其中所述第一源极漏极区和所述第二源极漏极区配置在所述第一介电层的所述第一端的相对侧，且所述第三源极漏极区和所述第四源极漏极区配置在所述第一介电层的所述第二端的相对侧； 导电接点，配置在所述第一源极漏极区和所述第三源极漏极区之间以及所述第二源极漏极区和所述第四源极漏极区之间，其中所述导电接点配置在所述第一介电层中；以及 导电特征，配置在所述第一介电层中，其中所述导电特征电性连接至所述导电接点。
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