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龙图腾网获悉扬州杰冠微电子有限公司申请的专利减少双极退化风险的SiC MOSFET器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223503286U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422868330.4，技术领域涉及：H10D30/63；该实用新型减少双极退化风险的SiC MOSFET器件是由朱秀梅;杨程;裘俊庆;王毅设计研发完成，并于2024-11-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本减少双极退化风险的SiC MOSFET器件在说明书摘要公布了：减少双极退化风险的SiCMOSFET器件，涉及半导体技术领域。在N‑外延层内将源极多晶硅和P‑shield区构成异质结二极管从而分担器件反向导通时的流经体二极管的电流，降低器件PW区退化的风险。同时P‑shield区设置在栅氧化层下方，可以抑制峰值电场的栅氧的冲击，改善沟槽SiCMOSFET栅氧化层可靠性问题。在结构设计上减少了栅极与漏极的重合区域，从而达到减少栅漏电容的目的，缩短米勒平台时间，进而提高器件了开关性能，降低开关损耗。

本实用新型减少双极退化风险的SiC MOSFET器件在权利要求书中公布了：1.减少双极退化风险的SiCMOSFET器件，其特征在于，包括从下而上依次设置的N+衬底层1、N-外延层2、PW区3、欧姆接触合金层14和正面电极金属层15； 所述PW区3上设有： P-shield区4，从所述PW区3的顶面向下延伸至N-外延层2内； N+区5，设有一对，位于所述P-shield区4两侧，分别从所述PW区3的顶面向下延伸； P+区6，设有一对，分别从所述PW区3的顶面向下延伸，并与所述N+区5连接； 源极多晶硅8，从所述P-shield区4的顶面向下延伸； 栅极沟槽区9，设有一对，分别从所述PW区3的顶面向下刻蚀； 栅氧层10，位于所述栅极沟槽区9的侧部和底部，侧部分别与所述N+区5和PW区3，底部分别与所述P-shield区4和源极多晶硅8连接； 隔离介质层a11，位于所述栅极沟槽区9内，底面与所述栅氧层10连接，侧部与所述源极多晶硅8连接； Poly层12，填充在所述栅氧层10与隔离介质层a11之间； 隔离介质层b13，设有一对，底面分别与所述N+区5、栅氧层10、Poly层12和隔离介质层a11连接； 所述欧姆接触合金层14，设有一对，分别位于所述隔离介质层b13的侧部，底面分别与所述N+区5和P+区6连接。

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