睿绪应用材料股份有限公司江守权获国家专利权
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龙图腾网获悉睿绪应用材料股份有限公司申请的专利垂直式双栅极绝缘晶体管获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223503285U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422762286.9，技术领域涉及：H10D30/63；该实用新型垂直式双栅极绝缘晶体管是由江守权;陈政广设计研发完成，并于2024-11-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本垂直式双栅极绝缘晶体管在说明书摘要公布了：一种垂直式双栅极绝缘晶体管，包含底电极及氮化镓半导体单元。所述底电极包括由导电金属材料一体构成的导电金属基板，所述氮化镓半导体单元包括位于所述导电金属基板表面的第一P型氮化镓半导体层、形成于所述第一P型氮化镓半导体层表面的第一N型氮化镓半导体层、自所述第一N型氮化镓半导体层的部分顶面向下形成的第二P型氮化镓半导体层、自所述第二P型氮化镓半导体层的部分顶面向下形成的第二N型氮化镓半导体层、设置于所述第二N型氮化镓半导体层反向所述底电极的顶面的发射极、位于所述第二P型氮化镓半导体层顶面的栅极及栅极介电层，通过导电金属材料一体构成的所述导电金属基板，达到低电阻以及良好的散热效果。
本实用新型垂直式双栅极绝缘晶体管在权利要求书中公布了：1.一种垂直式双栅极绝缘晶体管，其特征在于，包含， 底电极，包括由导电金属材料一体构成的导电金属基板；及 氮化镓半导体单元，包括位于所述导电金属基板表面的第一P型氮化镓半导体层、形成于所述第一P型氮化镓半导体层表面的第一N型氮化镓半导体层、自所述第一N型氮化镓半导体层的部分顶面向下形成的第二P型氮化镓半导体层、自所述第二P型氮化镓半导体层的部分顶面向下形成的第二N型氮化镓半导体层，且所述第二N型氮化镓半导体层与所述第二P型氮化镓半导体层相邻的侧边具有与所述第一N型氮化镓半导体层的顶面平行的通道间距、设置于所述第二N型氮化镓半导体层反向所述底电极的顶面的发射极，且所述发射极与所述第二N型氮化镓半导体层远离所述通道间距的表面接触连接、位于所述第二P型氮化镓半导体层的顶面的栅极，且所述栅极对应位于所述通道间距的上方，及介于所述栅极与所述通道间距之间的栅极介电层。
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