美垦半导体技术有限公司刘利书获国家专利权
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龙图腾网获悉美垦半导体技术有限公司申请的专利半导体器件、功率模块和电子设备获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223503283U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422886914.4，技术领域涉及：H10D30/60；该实用新型半导体器件、功率模块和电子设备是由刘利书;兰昊;黄钊渝设计研发完成，并于2024-11-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件、功率模块和电子设备在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种半导体器件、功率模块和电子设备，涉及半导体技术领域，其中，半导体器件包括第一栅极材料、栅极以及虚拟栅极；第一栅极材料连接有第一接触孔；栅极部分形成于第一栅极材料，栅极通过第一接触孔与金属电极电连接；形成于第一栅极材料和栅极之间，虚拟栅极连接有第二接触孔，虚拟栅极通过第二接触孔和金属电极电连接；虚拟栅极间隔第一栅极材料和栅极设置。本实用新型提供的半导体器件，虚拟栅极上直接刻蚀有第二接触孔，摒弃通过栅极材料与第二接触孔连接的形式，从而避免了半导体器件的体积受虚拟栅极的栅极材料和第一栅极材料之间的最小尺寸影响，如此，本实用新型提供的半导体器件有利于小型化设计。
本实用新型半导体器件、功率模块和电子设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括： 第一栅极材料，所述第一栅极材料连接有第一接触孔； 栅极，所述栅极部分形成于所述第一栅极材料，所述栅极通过所述第一接触孔与金属电极电连接； 虚拟栅极，形成于所述第一栅极材料和所述栅极之间，所述虚拟栅极连接有第二接触孔，所述虚拟栅极通过所述第二接触孔和金属电极电连接； 所述虚拟栅极间隔所述第一栅极材料和栅极设置。
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