美垦半导体技术有限公司刘利书获国家专利权
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龙图腾网获悉美垦半导体技术有限公司申请的专利终端结构及功率器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223503281U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422874152.6，技术领域涉及：H10D30/01；该实用新型终端结构及功率器件是由刘利书;刘俊曼设计研发完成，并于2024-11-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本终端结构及功率器件在说明书摘要公布了：本申请提供了一种终端结构及功率器件，该终端结构包括漂移层、等位环、第一绝缘层、栅极转接结构、第二绝缘层和栅线。漂移层包括相对的第一表面和第二表面，等位环从第一表面延伸至漂移层内，第一绝缘层包括第一部和第二部，且设置于第一表面上，栅极转接结构设置于第一绝缘层的远离漂移层的一侧，第一部在第一表面上的正投影与栅极转接结构在第一表面上的正投影不交叠，第二部在第一表面上的正投影位于栅极转接结构在第一表面上的正投影的范围内，第一部的厚度最大值小于第二部的厚度最大值。上述终端结构可应用于功率器件中，以提高功率器件的耐压性能和可靠性。
本实用新型终端结构及功率器件在权利要求书中公布了：1.一种终端结构，其特征在于，包括： 漂移层，包括相对的第一表面和第二表面； 等位环，从所述第一表面延伸至所述漂移层内； 第一绝缘层，设置于所述第一表面上； 栅极转接结构，设置于所述第一绝缘层的远离所述漂移层的一侧； 第二绝缘层，设置于所述栅极转接结构的远离所述漂移层的一侧； 栅线，设置于所述第二绝缘层的远离所述漂移层的一侧，所述栅线与所述栅极转接结构电连接； 其中，所述第一绝缘层包括第一部和第二部，所述第一部在所述第一表面上的正投影与所述栅极转接结构在所述第一表面上的正投影不交叠，所述第二部在所述第一表面上的正投影位于所述栅极转接结构在所述第一表面上的正投影的范围内； 所述第一部的厚度最大值小于所述第二部的厚度最大值。
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