苏州擎星骐骥科技有限公司周勇华获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州擎星骐骥科技有限公司申请的专利用于QFN芯片测试座的散热结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223503243U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422902112.8，技术领域涉及：H05K7/20；该实用新型用于QFN芯片测试座的散热结构是由周勇华;王勇;仇中燕;戴云;陈兰设计研发完成，并于2024-11-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于QFN芯片测试座的散热结构在说明书摘要公布了：本实用新型属于QFN芯片测试散热应用技术领域，具体公开了用于QFN芯片测试座的散热结构，由上接地铜块和下接地铜块组成；所述上接地铜块，包括上对接板、上凸起部和上散热通孔；所述下接地铜块，包括下对接板、下凸起部和下散热通孔。本实用新型的用于QFN芯片测试座的散热结构的有益效果在于：1、相配合使用的上接地铜块、下接地铜块结构，可将检测过程中产生的多余热量的进行吸收，达到功耗扩散的目的，从而降低检测温度，杜绝温度过高对被测试芯片测试的产生影响现象的出现；2、整体为分体组合式设计，便于操作进行装配使用，提高检测效率、利于推广。
本实用新型用于QFN芯片测试座的散热结构在权利要求书中公布了：1.用于QFN芯片测试座的散热结构，其特征在于：由上接地铜块1和下接地铜块2组成； 所述上接地铜块1，包括上对接板1A、上凸起部1B和上散热通孔1C，上凸起部1B设置在上对接板1A一面，上散热通孔1C均匀设置在上对接板1A、上凸起部1B的连接面内； 所述下接地铜块2，包括下对接板2A、下凸起部2B和下散热通孔2C，下凸起部2B设置在下对接板2A一面，下散热通孔2C均匀设置在下对接板2A、下凸起部2B的连接面内。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人苏州擎星骐骥科技有限公司，其通讯地址为：210528 江苏省苏州市中国(江苏)自由贸易试验区苏州片区苏州工业园区淞北路45号启迪智能制造产业园6栋1层104室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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