中维元创科技(北京)有限公司李永武获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉中维元创科技(北京)有限公司申请的专利单向发热结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223503052U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422858511.9，技术领域涉及：H05B3/26；该实用新型单向发热结构是由李永武;马臣;郝朝亮;杨敏;朱冰如设计研发完成，并于2024-11-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本单向发热结构在说明书摘要公布了：本实用新型提出一种单向发热结构。单向发热结构包括第一基材、发热层、电极和第二基材，发热层设置在第一基材表面，发热层为半导体氧化物通过真空镀膜形成于第一基材表面的导电薄膜；发热层用于在通电时进行电热转换；电极设置在发热层两侧，电极与发热层接触连接，电极与电源电连接，电极用于使发热层通电；第二基材设置在第一基材下方，第二基材与第一基材间隔设置，且第一基材与第二基材之间的间隔空间密封形成真空空间。本实用新型单向发热结构可以利用第一基材与第二基材之间的真空空间阻断发热层热量由第一基材向第二基材方向传播，从而实现发热层向第一基材外侧单向发热。
本实用新型单向发热结构在权利要求书中公布了：1.一种单向发热结构，其特征在于，包括： 第一基材； 发热层，所述发热层设置在所述第一基材表面，所述发热层为半导体氧化物通过真空镀膜形成于所述第一基材表面的导电薄膜；所述发热层用于在通电时进行电热转换； 电极，所述电极设置在所述发热层两侧，所述电极与所述发热层接触连接，所述电极与电源电连接，所述电极用于使所述发热层通电； 第二基材，所述第二基材设置在所述第一基材下方，所述第二基材与所述第一基材间隔设置，且所述第一基材与所述第二基材之间的间隔空间密封形成真空空间。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中维元创科技(北京)有限公司，其通讯地址为：102200 北京市昌平区小汤山镇现代农业园东区玫瑰创业园甲94号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励