河南科之诚第三代半导体碳基芯片有限公司刘佳奇获国家专利权
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龙图腾网获悉河南科之诚第三代半导体碳基芯片有限公司申请的专利一种射频放大器散热结构获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN223501860U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202422933983.6,技术领域涉及:H01L23/367;该实用新型一种射频放大器散热结构是由刘佳奇;林辉;杨金飞;梁宇;黄鑫;王绮梦设计研发完成,并于2024-11-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种射频放大器散热结构在说明书摘要公布了:本实用新型涉及芯片封装技术领域,尤其是涉及一种射频放大器散热结构,包括芯片和硅金刚石热沉片,所述芯片焊接在所述硅金刚石热沉片的上方,所述硅金刚石热沉片远离所述芯片的一侧设置有微流道。本实用新型的射频放大器散热结构包括芯片和硅金刚石热沉片,其中,芯片焊接在硅金刚石热沉片的上方,硅金刚石热沉片的下方设置有微流道。该射频放大器散热结构以硅金刚石作为封装结构的热沉片,不仅解决了金刚石难以加工,不方便切割,且表面不易被焊料浸润的问题,而且大幅提高了芯片有源区近端封装体的热导率,可通过传导的方式将热量迅速传输到微流道的液体中,避免热累计效应引起的局部温度升高,进而降低芯片的工作结温。
本实用新型一种射频放大器散热结构在权利要求书中公布了:1.一种射频放大器散热结构,其特征在于,包括芯片1和硅金刚石热沉片,所述芯片1焊接在所述硅金刚石热沉片的上方,所述硅金刚石热沉片远离所述芯片1的一侧设置有微流道2。
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