西安奕斯伟材料科技股份有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司张艺楠获国家专利权
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龙图腾网获悉西安奕斯伟材料科技股份有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司申请的专利单晶炉获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223496703U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423083364.9，技术领域涉及：C30B15/20；该实用新型单晶炉是由张艺楠;余崇江设计研发完成，并于2024-12-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本单晶炉在说明书摘要公布了：本实用新型涉及一种单晶炉，包括：炉体，所述炉体内限定有腔室；坩埚组件，设置于所述炉体的内腔中，所述坩埚组件包括套设的石英坩埚和石墨坩埚，所述石英坩埚内容纳有硅溶液；加热部件，设置于所述坩埚组件的四周，用于对所述坩埚组件进行加热；支撑轴，支撑连接于所述石墨坩埚的底部；监测结构，设置于所述炉体的顶部，用于识别硅熔液中未熔化的多晶硅，并获取未熔化的多晶硅的位置信息；移动控制结构，设置于所述支撑轴远离所述坩埚的一端，用于根据未熔化的多晶硅的位置信息控制所述坩埚组件移动，减小未熔化的多晶硅与所述加热部件之间的距离。实现局部热量增加，以加快多晶硅的熔化。
本实用新型单晶炉在权利要求书中公布了：1.一种单晶炉，其特征在于，包括： 炉体，所述炉体内限定有腔室； 坩埚组件，设置于所述炉体的内腔中，所述坩埚组件包括套设的石英坩埚和石墨坩埚，所述石英坩埚内容纳有硅溶液； 加热部件，设置于所述坩埚组件的四周，用于对所述坩埚组件进行加热； 支撑轴，支撑连接于所述石墨坩埚的底部； 监测结构，设置于所述炉体的顶部，用于识别硅熔液中未熔化的多晶硅，并获取未熔化的多晶硅的位置信息； 移动控制结构，设置于所述支撑轴远离所述坩埚的一端，用于根据未熔化的多晶硅的位置信息控制所述坩埚组件移动，减小未熔化的多晶硅与所述加热部件之间的距离。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人西安奕斯伟材料科技股份有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司，其通讯地址为：710000 陕西省西安市高新区西沣南路1888号1-3-029室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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