买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉山西中来光能电池科技有限公司申请的专利一种激光诱导双面局域隧穿氧化钝化电池及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118571982B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410685441.3，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权一种激光诱导双面局域隧穿氧化钝化电池及其制备方法是由张耕;乔晓琴;郭飞;邹金圩;刘杰;邱建羽;熊大明;林建伟设计研发完成，并于2024-05-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种激光诱导双面局域隧穿氧化钝化电池及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种激光诱导双面局域隧穿氧化钝化电池及其制备方法，包括硅片衬底、正背面氮化硅层、正背面金属电极，硅片衬底正面由内至外依次设置有正面隧穿氧化层和p+poly层，p+poly层表面形成有间隔阵列的正面LIO刻蚀凹槽；背面由内至外依次设置有背面隧穿氧化层和n+poly层，n+poly层表面形成有间隔阵列的背面LIO刻蚀凹槽。本发明基于LIO技术在电池正面p+poly非栅线区域进行poly移除，在正面也可以经过简单工序使用TOPCon钝化结构，显著提高开路电压Voc，二次利用LIO技术在电池背面n+poly非栅线区域进行poly减薄，减少寄生光吸收，提升短路电流Isc，提高电池效率。

本发明授权一种激光诱导双面局域隧穿氧化钝化电池及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种激光诱导双面局域隧穿氧化钝化电池，包括硅片衬底、正背面的金属电极，其特征在于，所述硅片衬底的正面由内至外依次设置有正面隧穿氧化层和p+多晶硅层，所述p+多晶硅层表面形成有间隔阵列的正面LIO刻蚀凹槽；所述硅片衬底的背面由内至外依次设置有背面隧穿氧化层和n+多晶硅层，所述n+多晶硅层表面形成有间隔阵列的背面LIO刻蚀凹槽，所述硅片衬底的正、背面最外层为氮化硅层； 正面LIO刻蚀凹槽的深度为100～110nm，背面LIO刻蚀凹槽的深度为40～50nm； 所述激光诱导双面局域隧穿氧化钝化电池的制备方法包括依次进行的如下步骤： 1选择硅片以及制绒处理； 2利用PVD技术在硅片的正面制备TOPCon结构，即在PO腔中制备隧穿氧化层，再在Paid腔中利用Ar+轰击硅靶材，制备本征非晶硅i-a-Si，并通入乙硼烷气体，掺杂硼元素，制备p型掺杂非晶硅p-a-Si； 3利用紫外皮秒激光器对硅片正面的栅线区域进行激光诱导氧化，使预设栅线区域的p-a-Si变为SiOSiO2，作为后续掩膜； 4对硅片的正面进行碱刻蚀，蚀刻硅片正面非激光氧化区域的非晶硅层，碱刻蚀后再利用双氧水与弱碱溶液对硅片进行清洗，去除有机添加剂影响； 5在退火炉中对硅片进行高温退火，使p型掺杂非晶硅p-a-Si变为p型掺杂多晶硅p+多晶硅层，退火结束后通入氧气，对硅片表面进行氧化； 6对硅片进行单面酸洗，去除其背面及侧面的氧化硅层； 7对硅片的背面进行碱抛光； 8利用PVD技术在硅片的背面制备TOPCon结构，即在PO腔中制备隧穿氧化层，再在Paid腔中利用Ar+轰击硅靶材，制备本征非晶硅i-a-Si，并通入PH3气体，掺杂磷元素，制备n型掺杂非晶硅n-a-Si； 9在退火炉中对硅片进行高温退火，使n型掺杂非晶硅n-a-Si变为n型掺杂多晶硅n+多晶硅层； 10利用紫外皮秒激光器对硅片背面的栅线区域进行激光诱导氧化，使预设栅线区域的n+多晶硅层变为SiOSiO2，作为后续掩膜； 11BOE清洗，在槽式清洗设备中对硅片进行清洗，首先使用双氧水与弱碱溶液，清洗表面有机杂质，之后再利用低温碱溶液对硅片背面进行蚀刻，最后利用HFHCl溶液清洗硅片，去除其正背面的氧化物； 12利用PECVD技术在硅片的正面和背面均制备氮化硅减反射膜； 13采用丝网印刷工艺在硅片的正面和背面均涂敷金属浆料，烧结后制备金属电极。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人山西中来光能电池科技有限公司，其通讯地址为：030000 山西省太原市山西综改示范区太原唐槐园区唐槐路77号科技创新孵化基地5号楼4层424室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。