安徽大学吴祖恒获国家专利权
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龙图腾网获悉安徽大学申请的专利一种针对Skip Structure深度神经网络硬件精度问题的原位补偿法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116579395B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202310438357.7,技术领域涉及:G06N3/063;该发明授权一种针对Skip Structure深度神经网络硬件精度问题的原位补偿法是由吴祖恒;汪泽清;冯哲;朱云来;徐祖雨;代月花设计研发完成,并于2023-04-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种针对Skip Structure深度神经网络硬件精度问题的原位补偿法在说明书摘要公布了:本发明公开一种针对SkipStructure深度神经网络硬件精度问题的原位补偿法,属于忆阻器技术领域;原位补偿法包括S1,确定补偿方程的相关系数;S2,测试相关系数与输出误差之间的关系;S3,根据S2得到的测试数据,进行数据拟合,并建立补偿方程;S4,在阵列输出结果时,运用S3建立的补偿方程,对输出结果进行原位补偿;本发明的补偿方法能够解决忆阻器阵列在实现SkipStructure式深度神经网络时误差层层叠加所导致的精度下降问题,从而对于硬件实现跳跃式结构神经网络有很大的优化作用。
本发明授权一种针对Skip Structure深度神经网络硬件精度问题的原位补偿法在权利要求书中公布了:1.一种针对SkipStructure深度神经网络硬件精度问题的原位补偿法,其特征在于,包括以下步骤; S1,确定补偿方程的相关系数; S2,测试相关系数与输出误差之间的关系; S3,根据S2得到的测试数据,进行数据拟合,并建立补偿方程; S4,在阵列输出结果时,运用S3建立的补偿方程,对输出结果进行原位补偿; S1中,根据在实验中:随着输入电压V、阵列开启行数nrow和忆阻器电阻值R的大小的改变会对阵列输出造成不同的影响,初步确定补偿方程应与输入电压V、阵列开启行数nrow以及忆阻器电阻值R的大小有关; S2中,通过设计并执行测试方案确定输入电压V、阵列开启行数nrow以及忆阻器电阻值大小R对于阵列输出误差的影响关系;具体步骤包括: S21,设定固定步长,并测试在输入电压增大时,输出误差随阵列开启行数nrow和忆阻器阻值大小R的关系; S22,设定固定步长,并测试在忆阻器阻值R增大时候,输出误差随阵列开启行数nrow和输入电压大小V的关系; 在S3中,根据S2所测得的数据,选择最适合两组数据的拟合方式,分别对其进行线性拟合和非线性拟合,得到线性拟合和非线性拟合对应的输出误差与输入电压V、阵列开启行数nrow以及忆阻器电阻值大小R的关系。
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