中芯国际集成电路制造(上海)有限公司张恩宁获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116344453B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111621557.3，技术领域涉及：H10D84/01；该发明授权半导体结构及其形成方法是由张恩宁;宋佳;张海洋设计研发完成，并于2021-12-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，其中，形成方法包括：提供基底，所述基底上具有若干初始复合层，每层初始复合层包括初始牺牲层、初始沟道层；在若干初始复合层上形成相互分立的若干鳍掩膜结构；基于所述鳍掩膜结构，对所述若干初始复合层进行若干次循环处理，以在所述基底上形成相互分立的若干第一鳍结构，所述第一鳍结构包括在基底表面的法线方向上重叠的若干第一复合层，每层第一复合层包括第一牺牲层、以及位于所述第一牺牲层上的第一沟道层，每次所述循环处理的方法包括：对预设数量层的初始复合层进行刻蚀处理以及原位钝化处理。从而，改善了半导体结构的性能。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供基底，所述基底上具有沿基底表面的法线方向重叠的若干初始复合层，每层初始复合层包括初始牺牲层、以及位于所述初始牺牲层上的初始沟道层； 在若干初始复合层上形成相互分立的若干鳍掩膜结构； 基于所述鳍掩膜结构，对所述若干初始复合层进行若干次循环处理，以在所述基底上形成相互分立的若干第一鳍结构，所述第一鳍结构包括在基底表面的法线方向上重叠的若干第一复合层，每层第一复合层包括第一牺牲层、以及位于所述第一牺牲层上的第一沟道层，每次所述循环处理的方法包括：对预设数量层的初始复合层进行刻蚀处理以及原位钝化处理； 其中，所述刻蚀处理对初始牺牲层的材料的刻蚀速率大于对初始沟道层的材料的刻蚀速率，所述原位钝化处理在平行于基底表面的方向上对初始沟道层的材料的刻蚀速率大于对初始牺牲层的材料的刻蚀速率。
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