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龙图腾网获悉中国科学院福建物质结构研究所申请的专利一种X射线衍射实验的光源强度均一性的高斯校正方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116230129B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211703374.0，技术领域涉及：G16C60/00；该发明授权一种X射线衍射实验的光源强度均一性的高斯校正方法是由姜小明;郭国聪设计研发完成，并于2022-12-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种X射线衍射实验的光源强度均一性的高斯校正方法在说明书摘要公布了：本发明属于材料细分领域，一种X射线衍射实验的光源强度均一性的高斯校正方法，包括：步骤一、定义X射线源截面方向的强度呈高斯分布函数：其中，a、c为待确定的参数；其中，x，y为衍射点的坐标；步骤二、根据晶体的几何外形，衍射点的指标参数为Kh，k，l，可计算出被样品吸收的其中，μ为已知参数；步骤三、根据晶体的对称性，产生多套等效衍射点，通过等效点的差别进行精修，通过最小二乘法精修可获得参数a,c；步骤四：根据获得的a、c值，实测的强度为I实测h，k，l，算出I校正h，k，l＝I实测h，k，l+I吸收h，k，l，用于电子结构精修。

本发明授权一种X射线衍射实验的光源强度均一性的高斯校正方法在权利要求书中公布了：1.一种X射线衍射实验的光源强度均一性的高斯校正方法，其特征在于，包括：步骤一、定义X射线源截面方向的强度呈高斯分布函数：其中，a、c为待确定的参数；其中，x，y为衍射点的坐标；步骤二、根据晶体的几何外形，衍射点的指标参数为Kh，k，l，计算出被样品吸收的其中，X射线穿过晶体的路径函数Ph,k,lx，y，Ph,k,lx，y根据晶体的几何外形得到，晶体的吸收系数μ，μ为已知参数；步骤三、根据晶体的对称性，产生多套等效衍射点，通过等效点的差别进行精修，通过最小二乘法精修获得参数a、c；步骤四：根据获得的a、c值，实测的强度为I实测h，k，l，计算出I校正h，k，l＝I实测h，k，l+I吸收h，k，l，用于电子结构精修，采用最小二乘法计算出差值函数RPn的最小值获得最优的模型的a、c参数的步骤包括： A：随机选两组参数值P1＝{a1,c1}和P2＝{a2,c2}，代入分别获得RP1和RP2,通过将P1＝{a1,c1}和P2＝{a2,c2}分别代入计算I吸收P1和I吸收P2；通过I校正h，k，l＝I实测h，k，l+I吸收h，k，l计算I校正P1和I校正P2； B:按公式A为步长因子,计算出P3＝{a3,c3},即n＝3，并将P3代入用该方法计算出RP3值； C：同样按步骤B步公式计算P4,类似计算RP4，循环n步，直到RPn-RPn-1小于预设精度值，此时RPn已经达到最小，Pn为最佳值； D:Pn代入和I校正h，k，l＝I实测h，k，l+I吸收h，k，l计算I校正Pn；I校正Pn用于电子结构精修。

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