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株式会社电装山岸哲人获国家专利权

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龙图腾网获悉株式会社电装申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116134164B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202180060389.7,技术领域涉及:H01L21/52;该发明授权半导体装置是由山岸哲人;坂本善次;海津瞭一;稻叶祐树;吉川弘起设计研发完成,并于2021-06-14向国家知识产权局提交的专利申请。

半导体装置在说明书摘要公布了:半导体装置具备:半导体芯片30,在SiC衬底中形成有元件;热沉40、50及接线端60,是以夹着半导体芯片30的方式配置的散热部件;以及焊料90、91、92,介于半导体芯片与散热部件之间而形成接合部。焊料90、91是以下的合金组分的无铅焊料:以3.2~3.8质量%包含Ag,以0.6~0.8质量%包含Cu,以0.01~0.2质量%包含Ni;并且,如果设Sb的含量为x质量%,设Bi的含量为y质量%,则以满足x+2y≤11质量%、x+14y≤42质量%及x≥5.1质量%的方式包含Sb和Bi;进而,以0.001~0.3质量%包含Co,以0.001~0.2质量%包含P;其余部分由Sn构成。

本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了:1.一种半导体装置,其特征在于, 具备: 半导体芯片,具有形成有元件的SiC衬底、形成在上述SiC衬底的一面的第1主电极、以及形成在上述SiC衬底的背面的第2主电极,上述背面是在板厚方向上与上述一面相反的面; 第1散热部件及第2散热部件,是以夹着上述半导体芯片的方式配置的散热部件,上述第1散热部件配置在上述一面侧,与上述第1主电极连接,上述第2散热部件配置在上述背面侧,与上述第2主电极连接;以及 接合部件,分别介于上述第1主电极与上述第1散热部件之间以及上述第2主电极与上述第2散热部件之间,形成接合部; 上述接合部件的至少一个是以下的合金组分的无铅焊料: 以3.2~3.8质量%含有Ag,以0.6~0.8质量%含有Cu,以0.01~0.2质量%含有Ni; 并且,如果设Sb的含量为x质量%,设Bi的含量为y质量%,则以满足x+2y≤11质量%、x+14y≤42质量%、以及x≥5.1质量%的方式含有Sb和Bi; 进而,以0.001~0.3质量%含有Co,以0.001~0.2质量%含有P; 其余部分由Sn构成; 上述第2主电极使用杨氏模量比上述第1主电极小的材料形成; 上述接合部件中的形成上述第2主电极与上述第2散热部件之间的上述接合部的上述接合部件,是强度比上述无铅焊料低的低强度焊料,其余的上述接合部件的至少一个是上述无铅焊料。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人株式会社电装,其通讯地址为:日本爱知县;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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