中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司赵振阳获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115910925B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111159037.5，技术领域涉及：H10D84/01；该发明授权半导体结构及其形成方法是由赵振阳;苏博;郑二虎;谭程;吴金刚设计研发完成，并于2021-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，其中形成方法包括：提供衬底，衬底包括器件区和隔离区，隔离区内具有改性层；对衬底进行图形化处理，形成基底、位于基底上的若干器件鳍部和若干改性鳍部；在基底上形成第一隔离材料层，第一隔离材料层覆盖器件鳍部且暴露出改性鳍部；去除改性鳍部。通过形成改性层，使得由改性层所形成的改性鳍部与隔离区之间具有较大刻蚀选择比，进而能够保证各个隔离区上的改性鳍部被去除完全且较小的损伤基底，降低晶体管之间发生短接的问题。另外，在形成第一隔离材料层时，改性鳍部还未被去除，器件鳍部和改性鳍部的分布较均匀，因此，形成的第一隔离材料层的应力分布也较均匀，能够有效减少因应力差所造成鳍部弯曲变形问题。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底包括若干器件区和若干隔离区； 对所述隔离区进行改性处理，在所述隔离区内形成改性层； 在形成所述改性层之后，对所述衬底进行图形化处理，形成基底、位于所述基底上的若干器件鳍部、以及位于所述基底上的若干改性鳍部，所述器件鳍部通过图形化处理所述器件区形成，所述改性鳍部通过图形化处理所述改性层形成； 在所述基底上形成第一隔离材料层，所述第一隔离材料层覆盖所述器件鳍部且暴露出所述改性鳍部； 在形成所述第一隔离材料层之后，去除所述改性鳍部；其中， 对所述衬底进行图形化处理之后，还形成位于所述基底内的保留层，所述保留层通过图形化处理所述改性层形成，所述保留层底部表面低于所述基底的顶部表面； 在去除所述改性鳍部之后，去除所述保留层，在所述基底内形成隔离开口。
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