上海集成电路制造创新中心有限公司徐航获国家专利权
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龙图腾网获悉上海集成电路制造创新中心有限公司申请的专利阶梯槽型绝缘栅双极型晶体管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115910779B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211696607.9，技术领域涉及：H10D12/01；该发明授权阶梯槽型绝缘栅双极型晶体管及其制备方法是由徐航;杨雅芬;张卫设计研发完成，并于2022-12-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本阶梯槽型绝缘栅双极型晶体管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种阶梯槽型绝缘栅双极型晶体管及其制备方法，该制备方法包括在N型硅衬底上形成N型载流子存储层；在N型载流子存储层上方形成正面P型阱区；刻蚀第一沟槽，通过As离子注入形成高掺杂的存储层；在第一沟槽内沉积氧化物；刻蚀第二沟槽，并在第二沟槽内形成屏蔽栅氧化层；刻蚀第三沟槽，并在第三沟槽内形成控制栅；在N型硅衬底的正面且位于P型阱区的上方形成进行掺杂形成接触区，并在接触区上形成发射极；在N型硅衬底背面通过N型离子注入形成背面N阱区，然后通过P型离子注入形成背面P阱区，其中背面P阱区位于底部，背面N阱区位于背面P阱区上方。本发明提高了形成高掺杂的存储层的效率，可显著降低了该器件的导通损耗。
本发明授权阶梯槽型绝缘栅双极型晶体管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种阶梯槽型绝缘栅双极型晶体管的制备方法，其特征在于，包括： 在N型硅衬底上注入离子形成N型载流子存储层； 在所述N型载流子存储层的上方注入离子形成正面P型阱区； 刻蚀形成第一沟槽，在所述第一沟槽内进行As离子注入，以在所述N型载流子存储层的下方形成高掺杂的存储层； 在所述第一沟槽内沉积第一氧化层； 刻蚀第二沟槽，并在所述第二沟槽内形成屏蔽栅氧化层； 刻蚀第三沟槽，并在所述第三沟槽内形成左右对称的控制栅； 在所述N型硅衬底的正面且位于所述P型阱区的上方形成进行掺杂形成接触区，并在所述接触区上形成发射极； 在所述N型硅衬底背面通过N型离子注入形成背面N阱区，接着通过P型离子注入形成背面P阱区，其中所述背面P阱区位于底部，所述背面N阱区位于所述背面P阱区上方。
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