中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司王楠获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115881728B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111152701.3，技术领域涉及：H10D84/85；该发明授权半导体结构及其形成方法是由王楠设计研发完成，并于2021-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，其方法包括：刻蚀所述初始沟道层侧壁以形成沟道层，在相邻两层牺牲层之间形成凹槽，所述凹槽暴露出的沟道层侧壁相对于所述牺牲层侧壁凹陷；在所述开口以及所述凹槽内形成介电墙；形成所述介电墙后，在所述衬底上形成层间介质层和所述层间介质层内的栅开口，所述栅开口位于部分初始复合层侧壁和顶部表面，且暴露出部分所述牺牲层；去除所述栅开口所述暴露出的所述牺牲层，在相邻的沟道层、以及沟道层与所述介电墙之间形成栅沟槽，以所述栅沟槽和所述沟道层形成复合层；在所述栅开口和所述栅沟槽内形成栅极，所述栅极包围所述沟道层，有利于提高栅极对沟道的控制能力，进而提高器件的性能。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括: 衬底； 位于所述衬底上相互分立的两个复合层和两个所述复合层之间的开口，所述复合层包括位于所述衬底上的若干层重叠栅沟槽以及位于相邻栅沟槽之间的沟道层和所述沟道层侧壁的凹槽，所述凹槽暴露出的沟道层侧壁相对于所述栅沟槽侧壁凹陷； 位于所述开口以及与所述开口相邻的所述凹槽内的介电墙； 位于所述衬底上的层间介质层和所述层间介质层内的栅开口，所述栅开口位于部分复合层侧壁和顶部表面； 位于所述栅开口和所述栅沟槽内的栅极，且所述栅极包围所述沟道层。
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