华中科技大学徐明获国家专利权
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龙图腾网获悉华中科技大学申请的专利一种Sb-Te-C相变存储材料及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115835770B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211482089.0，技术领域涉及：H10N70/20；该发明授权一种Sb-Te-C相变存储材料及其制备方法和应用是由徐明;沈颖华;麦贤良;王欢;刘永鹏;缪向水设计研发完成，并于2022-11-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种Sb-Te-C相变存储材料及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明属于微电子技术领域，更具体地，涉及一种Sb‑Te‑C相变存储材料及其制备方法和应用。本发明Sb‑Te‑C相变存储材料，其化学组成通式为SbiTej100‑xCx，其中x，i和j均表示原子百分比，0＜x≤30，0＜i≤50，50≤j＜100，i+j＝100。与未掺杂C的Sb‑Te相变材料相比，本发明提供的Sb‑Te‑C相变薄膜材料电阻随温度变化曲线随着C浓度的增加逐渐趋向于缓变，具有应用于人工神经网络与类脑计算的潜力；且所述Sb‑Te‑C相变材料的电阻窗口以及电阻绝对值增大，意味着存储数据的区分程度增大，操作功耗降低；另外所述Sb‑Te‑C相变材料的相变温度得到较大提升，热稳定性增强，数据保持力增强。
本发明授权一种Sb-Te-C相变存储材料及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种电阻随温度变化的曲线具有缓变特性的Sb-Te-C相变存储材料，其特征在于，其化学组成通式为SbiTej100-xCx，其中x，i和j均表示原子百分比，其中，15≤x≤30，30≤i≤50，50≤j≤70，i+j=100； 所述Sb-Te-C相变存储材料为Sb-Te-C相变薄膜材料； 所述相变薄膜材料采用磁控溅射法制得；所述磁控溅射为C靶材与Sb2Te3靶材的共溅射；其中C靶采用直流电源，电源功率为20-80W； 所述Sb-Te-C相变存储材料中C原子存在于Sb-Te晶格间隙中，并与Sb-Te形成化学键； 所述Sb-Te-C相变存储材料的电阻随温度变化的曲线具有缓变特性。
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