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龙图腾网获悉中国科学技术大学申请的专利光电探测器及利用其探测目标光源的探测方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115832098B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211559483.X，技术领域涉及：H10F30/282；该发明授权光电探测器及利用其探测目标光源的探测方法是由赵晓龙;邹燕妮;曾妍;徐光伟;侯小虎;龙世兵设计研发完成，并于2022-12-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本光电探测器及利用其探测目标光源的探测方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种光电探测器，包括：绝缘衬底；沟道层，适用于接收目标光源；源极和漏极；栅极材料层，适用于接收目标光源和波长大于目标光源的辅助光源；栅极；其中，沟道层由对目标光源敏感的第一材料制成，使目标光源激发沟道层产生光生载流子并引发光电探测器产生负光栅效应，进而使沟道电流Ids上升；栅极材料层由对目标光源和辅助光源均敏感的第二材料制成，使得辅助光源增大栅极材料层的电导率并引发光电探测器产生正光栅效应，以加快在目标光源消失后沟道层的关断，提升光电探测器的响应速度。本发明还提供一种探测目标光源的探测方法。本发明提供的光电探测器通过选择不同禁带宽度的沟道层材料，实现对不同波段的目标光源探测性能的提升。

本发明授权光电探测器及利用其探测目标光源的探测方法在权利要求书中公布了：1.一种探测目标光源的探测方法，利用光电探测器实现，其特征在于，包括： 将辅助光源和目标光源照射在光电探测器上，利用所述辅助光源辅助所述光电探测器探测所述目标光源； 其中，所述光电探测器探测到所述目标光源，所述目标光源引发所述光电探测器产生负光栅效应，所述沟道层2的沟道电流Ids上升；在所述目标光源消失后，所述辅助光源增大所述栅极材料层5的电导率并引发所述光电探测器产生正光栅效应，以加快在所述目标光源消失后所述沟道层2的关断； 所述光电探测器，包括： 绝缘衬底1； 沟道层2，形成在所述绝缘衬底1上，所述沟道层2适用于接收目标光源； 源极3和漏极4，位于所述沟道层2上； 栅极材料层5，与所述沟道层2相接触，位于所述沟道层2的上方或下方，适用于接收所述目标光源和辅助光源，所述辅助光源的波长大于所述目标光源的波长； 栅极6，形成在所述栅极材料层5的上方或下方，所述栅极6与所述栅极材料层5相接触； 其中，所述沟道层2由对所述目标光源敏感的第一材料制成，使得所述目标光源激发所述沟道层2产生光生载流子并引发所述光电探测器产生负光栅效应，进而使得所述源极3与所述漏极4之间的沟道电流Ids上升；所述栅极材料层5由对所述目标光源和所述辅助光源均敏感的第二材料制成，使得所述辅助光源增大所述栅极材料层5的电导率并引发所述光电探测器产生正光栅效应，以加快在所述目标光源消失后所述沟道层2的关断；其中所述第一材料包括氧化镓，所述第二材料包括二硒化钨。

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