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龙图腾网获悉中国科学院沈阳自动化研究所申请的专利SG SOI半导体器件建模方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115809626B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111078850.X，技术领域涉及：G06F30/367；该发明授权SG SOI半导体器件建模方法是由程贺;杨志家;张志鹏;张超;刘铁锋设计研发完成，并于2021-09-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本SG SOI半导体器件建模方法在说明书摘要公布了：本发明涉及SGSOI半导体器件建模方法，包括以下步骤：通过脚本构建SGSOI半导体器件的数学模型；将脚本导入到电路模拟器中；通过获取脚本内数学模型内的半导体器件参数信息，得到SGSOI半导体器件的半导体器件模型，实现半导体器件的建模。本发明的SGSOI半导体器件建模方法利用抛物线近似与摄动方法计算所述沟道表面势、载流子子带能级与各参数的关系，解决现有技术中模型无法描述弹道输运、量子限制效应的难点，进而帮助改善电路设计的仿真验证，为芯片设计提供支持；同时满足高效电路设计开发的需求，为半导体工艺开发提供方向。

本发明授权SG SOI半导体器件建模方法在权利要求书中公布了：1.SGSOI半导体器件建模方法，其特征在于，包括以下步骤： 通过脚本构建SGSOI半导体器件的数学模型； 将脚本导入到电路模拟器中； 通过获取脚本内数学模型内的半导体器件参数信息，得到SGSOI半导体器件的半导体器件模型，实现半导体器件的建模； 所述脚本为Verilog-A文件； 通过获取脚本内数学模型内的半导体器件参数信息，得到SGSOI半导体器件的半导体器件模型，包括以下步骤： 通过查询脚本内半导体器件模型含有的参数信息以及数学模型，提取沟道表面势与载流子子带能级对应的弹道准弹道电流的电压电流值，将电压电流值导入至电路模拟器中的器件行为描述模块，根据电路设计软件生成利用SGSOI半导体器件模型的电路网表并保存； 根据网表中的器件各个输入输出节点以及节点之间的映射关系的导出，生成含有可描述各端点偏置电压和器件沟道内弹道准弹道电流间关系的半导体器件模型； 其中，半导体器件模型含有参数信息如下： SGSOI半导体器件的沟道表面势wS、导带中载流子的子带能级弹道准弹道电流IDS，沟道半径R，沟道长度LG，栅源间电压VGS，漏源间电压VDS,有效氧化膜厚TOX，与沟道半径R相关联的源-沟道接合间内建电压Vbi，能带结构的能谷简并度

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