江西兆驰半导体有限公司周志兵获国家专利权
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龙图腾网获悉江西兆驰半导体有限公司申请的专利GaN-LED外延片表面粗化方法、外延片及LED获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115799409B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211545835.6，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权GaN-LED外延片表面粗化方法、外延片及LED是由周志兵;张星星;林潇雄;胡加辉;金从龙设计研发完成，并于2022-11-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本GaN-LED外延片表面粗化方法、外延片及LED在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体技术领域，具体公开一种GaN‑LED外延片表面粗化方法、外延片及LED，包括：提供一衬底；在衬底上生长GaN外延层；在GaN外延层的表面覆盖密封膜层；采用激光束对覆盖有密封膜层的GaN外延层进行照射；其中，所述密封膜层的禁带宽度高于所述GaN外延层的禁带宽度，且所述激光束的光量子能量介于所述GaN外延层的禁带宽度与所述密封膜层的禁带宽度之间。本发明的表面粗化方法工艺简单，设备精度要求低，加工效率高，易于实现，生产成本低。
本发明授权GaN-LED外延片表面粗化方法、外延片及LED在权利要求书中公布了：1.一种GaN-LED外延片表面粗化方法，其特征在于，包括： 提供一衬底； 在所述衬底上生长GaN外延层； 在所述GaN外延层的表面覆盖密封膜层； 采用激光束对覆盖有所述密封膜层的GaN外延层进行照射； 其中，所述密封膜层的禁带宽度高于所述GaN外延层的禁带宽度，且所述激光束的光量子能量介于所述GaN外延层的禁带宽度与所述密封膜层的禁带宽度之间。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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