华为技术有限公司王东盛获国家专利权
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龙图腾网获悉华为技术有限公司申请的专利晶体管、功率放大器及电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115692492B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110831326.9，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权晶体管、功率放大器及电子设备是由王东盛;田凯;姜腾;曹梦逸;谢荣华设计研发完成，并于2021-07-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本晶体管、功率放大器及电子设备在说明书摘要公布了：本申请提供一种晶体管、功率放大器及电子设备。该晶体管包括AlN势垒层及层叠于AlGaN层上的AlGaN层及SiN层，由于AlGaN层能够与AlN势垒层之间形成AlGaNAlN复合势垒，SiN层与AlN势垒层之间形成SiNAlN复合势垒，从而使得本申请的晶体管为增强型晶体管，能够避免晶体管不工作时漏电而产生的安全方面的问题。并且，由于SiN层为绝缘材料，SiN层部分覆盖AlN势垒层，可以起到表面钝化的作用，进一步提供该晶体管能够有更高的安全性能。
本发明授权晶体管、功率放大器及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种晶体管，其特征在于，所述晶体管包括沟道层、AlN势垒层、AlGaN层、SiN层、栅极、源极及漏极； 所述AlN势垒层、所述源极及所述漏极均层叠于所述沟道层，所述源极、所述漏极间隔设置，且所述源极及所述漏极均设于所述沟道层朝向所述AlN势垒层的表面，所述AlN势垒层位于间隔设置的所述源极与所述漏极之间； 所述SiN层及所述AlGaN层均层叠于所述AlN势垒层背离所述沟道层的一侧；所述AlN势垒层包括第一区、第二区及第三区，所述第一区连接于所述第二区与所述第三区之间，所述SiN层包括间隔设置的第一部分与第二部分，所述SiN层的所述第一部分覆盖所述AlN势垒层的所述第二区，所述SiN层的所述第二部分覆盖所述AlN势垒层的所述第三区；所述AlGaN层设于间隔的所述第一部分与所述第二部分之间，且所述AlGaN层邻接所述第一部分及所述第二部分，所述AlGaN层覆盖所述AlN势垒层的所述第一区； 所述栅极层叠于所述AlGaN层背离所述AlN势垒层的一侧，并与所述AlGaN层肖特基接触。
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