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龙图腾网获悉华中科技大学申请的专利基于近红外光谱散射的深沟槽结构参数测量装置及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115682963B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211350416.7，技术领域涉及：G01B11/06；该发明授权基于近红外光谱散射的深沟槽结构参数测量装置及方法是由张传维;陈云设计研发完成，并于2022-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于近红外光谱散射的深沟槽结构参数测量装置及方法在说明书摘要公布了：本发明属于光学薄膜测量领域，并具体公开了一种基于近红外光谱散射的深沟槽结构参数测量装置及方法，其包括照明光路和测量光路，其中：所述照明光路用于辅助照明，以定位待测样品的位置；所述测量光路用于获取待测样品的反射光强谱；其中，红外光源发出的光束依次经过第一聚光镜、圆形光阑、第一分光镜、偏振片、矩形光阑、第二聚光镜后，照射到待测结构；经待测结构返回的光束原路返回至第一分光镜后，依次经过第二分光镜、第三聚光镜、反射镜、第四聚光镜，汇聚到光谱仪；所述圆形光阑和第二聚光镜配合，用于控制测量光路的入射角，所述矩形光阑用于控制测量光路的方位角。本发明可实现对于微米级的深沟槽样件结构参数的准确测量。

本发明授权基于近红外光谱散射的深沟槽结构参数测量装置及方法在权利要求书中公布了：1.一种深沟槽结构测量方法，其特征在于，采用基于近红外光谱散射的深沟槽结构参数测量装置实现；测量装置包括照明光路和测量光路，其中： 所述照明光路用于辅助照明，以定位待测样品的位置； 所述测量光路用于获取待测样品的反射光强谱；其中，红外光源1发出的光束依次经过第一聚光镜2、圆形光阑3、第一分光镜4、偏振片5、矩形光阑6、第二聚光镜7后，照射到待测结构；经待测结构返回的光束原路返回至第一分光镜4后，依次经过第二分光镜8、第三聚光镜9、反射镜10、第四聚光镜11，汇聚到红外光谱仪12；所述圆形光阑3和第二聚光镜7配合，用于控制测量光路的入射角，所述矩形光阑6用于控制测量光路的方位角； 深沟槽结构测量方法包括如下步骤： 通过深沟槽结构参数测量装置分别测量反射率为0的黑样样件的反射光强谱，以及反射率谱为的标准高深宽比结构样件的反射光强谱； 调整偏振片角度，分别测量待测样品在p偏振光下的反射光强谱，以及其在s偏振光下的测量反射光强谱，进而得到待测样品反射率谱； 利用严格耦合波的方法对待测样品的结构参数进行建库，得到理论反射率谱库；用测量得到的待测样品反射率谱与理论反射率谱库进行拟合，进而得到待测样品结构参数。

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