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龙图腾网获悉武汉光谷信息光电子创新中心有限公司;武汉邮电科学研究院有限公司申请的专利一种可见光波段的铌酸锂波导光电探测器及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115663059B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211338089.3，技术领域涉及：H10F30/222；该发明授权一种可见光波段的铌酸锂波导光电探测器及制备方法是由王乾圣;胡晓;张红广;陈代高;王磊;肖希设计研发完成，并于2022-10-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种可见光波段的铌酸锂波导光电探测器及制备方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种可见光波段的铌酸锂波导光电探测器及制备方法，其包括铌酸锂双脊波导、硅晶体层、P型掺杂区和N型掺杂区，铌酸锂双脊波导包括两个间隔设置的脊部，硅晶体层设于两个所述脊部之间，P型掺杂区设于所述铌酸锂双脊波导上，并位于其中一个脊部远离所述硅晶体层一侧，所述P型掺杂区与所述硅晶体层接触，N型掺杂区设于所述铌酸锂双脊波导上，并位于另外一个脊部远离所述硅晶体层一侧，所述N型掺杂区与所述硅晶体层接触。本申请为可见光通信提供了新的光电探测器类型，使得铌酸锂波导的光电探测器在可见光通信中成为可能。

本发明授权一种可见光波段的铌酸锂波导光电探测器及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种可见光波段的铌酸锂波导光电探测器，其特征在于，其包括： 铌酸锂双脊波导1，其包括两个间隔设置的脊部10； 硅晶体层2，其设于两个所述脊部10之间； P型掺杂区3，其设于所述铌酸锂双脊波导1上，并位于其中一个脊部10远离所述硅晶体层2一侧，所述P型掺杂区3与所述硅晶体层2接触； N型掺杂区4，其设于所述铌酸锂双脊波导1上，并位于另外一个脊部10远离所述硅晶体层2一侧，所述N型掺杂区4与所述硅晶体层2接触； 硅晶体层2、N型掺杂区4和P型掺杂区3都是由沉积于铌酸锂双脊波导1上的硅晶体形成； 所述P型掺杂区3包括相连接的P型重掺区30和P型轻掺区31，且所述P型轻掺区31位于所述P型重掺区30和所述脊部10之间； 所述N型掺杂区4包括相连接的N型重掺区40和N型轻掺区41，且所述N型轻掺区41位于所述N型重掺区40和所述脊部10之间； 所述P型掺杂区3的一部分位于所述脊部10上，并朝所述硅晶体层2延伸，直至与所述硅晶体层2接触； 和或，所述硅晶体层2的一部分位于所述脊部10上，并朝所述P型掺杂区3延伸，直至与所述P型掺杂区3接触； 和或，所述N型掺杂区4的一部分位于所述脊部10上，并朝所述硅晶体层2延伸，直至与所述硅晶体层2接触； 和或，所述硅晶体层2的一部分位于所述脊部10上，并朝所述N型掺杂区4延伸，直至与所述N型掺杂区4接触。

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