长鑫存储技术有限公司郭帅获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利晶圆形变的调整方法及半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115642075B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110819709.4，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权晶圆形变的调整方法及半导体结构是由郭帅设计研发完成，并于2021-07-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本晶圆形变的调整方法及半导体结构在说明书摘要公布了：本申请实施例公开了一种晶圆形变的调整方法及半导体结构，该方法包括：确定晶圆的形变位置和形变程度；根据所述形变位置和形变程度，在晶圆背面形成至少一个沟槽；在具有所述至少一个沟槽的晶圆背面形成对所述晶圆的形变具有应力作用的应力膜；所述应力膜覆盖所述至少一个沟槽的内壁。
本发明授权晶圆形变的调整方法及半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种晶圆形变的调整方法，其特征在于，所述方法包括： 确定晶圆的形变位置和形变程度； 根据所述形变位置和形变程度，在晶圆背面形成至少一个沟槽； 在具有所述至少一个沟槽的晶圆背面形成对所述晶圆的形变具有应力作用的应力膜；所述应力膜覆盖所述至少一个沟槽的内壁； 其中，所述应力膜的材料为结晶材料；所述在具有所述至少一个沟槽的晶圆背面形成对所述晶圆的形变具有应力作用的应力膜，包括： 在具有所述至少一个沟槽的晶圆背面沉积所述应力膜的材料； 根据所述形变程度，对所述应力膜的材料进行相应温度的退火处理，结晶形成所述应力膜； 其中，所述根据所述形变程度，对所述应力膜的材料进行相应温度的退火处理，结晶形成所述应力膜，包括： 在覆盖有所述应力膜的材料的晶圆背面沉积非晶硅薄膜，填充所述至少一个沟槽； 根据所述形变程度，对所述晶圆背面进行相应温度的退火处理，结晶形成所述应力膜。
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