买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉西北工业大学申请的专利基于二维层状半导体的可调多模微腔光发射器及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115603170B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211171192.3，技术领域涉及：H01S5/10；该发明授权基于二维层状半导体的可调多模微腔光发射器及制备方法是由尚景智;胡韩伟;乔敬源;张欣雨;张学文;何思霖;史广超设计研发完成，并于2022-09-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于二维层状半导体的可调多模微腔光发射器及制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种基于二维层状半导体的可调多模微腔光发射器及制备方法，属于微腔光发射器技术领域；所述发射器从下到上依次包括底部DBR衬底、二维层状半导体、PMMA膜和顶部DBR衬底；通过调节PMMA膜的厚度实现对光发射器微腔腔长、腔膜个数及位置的精确调控。方法步骤为：首先制备底部、顶部DBR衬底；并在底部DBR衬底上制备二维层状半导体；然后在其表面旋涂PMMA，将顶部DBR衬底粘结于PMMA上方；最后，通过显微角分辨光谱仪对多模微腔光发射器完成腔长、腔膜个数、位置的精调，得到多模微腔光发射器。本发明通过PMMA粘结的方式实现了微腔光发射器多种光模式的发射，以及微腔模式的可控调节和DBR与二维层状半导体材料的重复利用，大幅降低了微腔的制备难度及成本。

本发明授权基于二维层状半导体的可调多模微腔光发射器及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于二维层状半导体的可调多模微腔光发射器，其特征在于：从下到上依次包括底部DBR衬底、二维层状半导体、聚甲基丙烯酸甲酯PMMA膜和顶部DBR衬底；所述聚甲基丙烯酸甲酯PMMA膜的厚度能够精确调节，通过调节其厚度实现对光发射器微腔腔长、腔膜个数以及位置的调控； 所述底部DBR衬底包括硅片衬底和底部DBR，顶部DBR衬底包括石英衬底和顶部DBR； 所述聚甲基丙烯酸甲酯PMMA膜的厚度范围在100-2000nm之间； 所述基于二维层状半导体的可调多模微腔光发射器的制备方法，具体步骤如下： 步骤1：制备底部DBR衬底和顶部DBR衬底； 步骤2：在底部DBR衬底上制备二维层状半导体材料； 步骤3：采用匀胶机将聚甲基丙烯酸甲酯PMMA旋涂于带有二维层状半导体的底部DBR衬底上，形成聚甲基丙烯酸甲酯PMMA膜，再将顶部DBR衬底的顶部DBR朝下置于聚甲基丙烯酸甲酯PMMA膜的上表面，完成底部DBR衬底和顶部DBR衬底的粘结及腔长、腔膜个数、位置的粗调； 步骤4：将粘结后的底部DBR衬底和顶部DBR衬底放在显微角分辨光谱仪的载物台上，调节载物台高度，使光斑聚焦在二维层状半导体表面后，利用样品架固定顶部DBR与物镜镜头之间的距离，通过使用纳米级Z轴位移电机台对底部DBR衬底施加单轴应力，从而对光发射器微腔腔长进行纳米级调节，并结合垂直方向上的角分辨反射光谱对微腔腔长进行实时调控，最终得到所需的二维半导体多模微腔结构，即多模微腔光发射器。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人西北工业大学，其通讯地址为：710072 陕西省西安市友谊西路；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。