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龙图腾网获悉三菱电机株式会社申请的专利半导体装置和电力设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115552633B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080100753.3，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权半导体装置和电力设备是由小西和也设计研发完成，并于2020-05-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置和电力设备在说明书摘要公布了：提供能够降低表面侧的空穴电流的集中的半导体装置。本公开所涉及的半导体装置100具备第一导电类型的缓冲层14、比缓冲层14靠表面侧的表面区域10a以及比缓冲层14靠背面侧的背面区域10b，形成于背面区域10b的第二导电类型的集电极层11具有交替地形成的第一集电极层P1和具有比第一集电极层P1的杂质浓度低的浓度的第二集电极层P2，表面区域10a包括位于第一集电极层P1的上方的第一表面区域1a和位于第二集电极层P2的上方的第二表面区域1b，在第一表面区域1a中，形成有相比于将第一表面区域1a的构造设为与第二表面区域1b的构造相同的情况而言促进从第一集电极层P1的上部排出空穴的空穴排出促进构造110。

本发明授权半导体装置和电力设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，具备： 第一导电类型的缓冲层； 比所述缓冲层靠表面侧的表面区域；以及 比所述缓冲层靠背面侧的背面区域， 所述表面区域具有： 第一导电类型的漂移层，形成于所述缓冲层之上； 第二导电类型的基极层，形成于所述漂移层之上； 第一导电类型的源极层和第二导电类型的接触层，形成于所述基极层之上且彼此相邻； 多个沟槽栅极，以贯通所述源极层及所述接触层和所述基极层并到达所述漂移层的方式形成，彼此隔开间隔而延伸； 发射极接触层，形成于所述源极层和所述接触层之上；以及 发射极电极，形成于所述发射极接触层之上， 所述背面区域具有： 第二导电类型的集电极层，形成于所述缓冲层之下；以及 集电极电极，形成于所述集电极层之下， 所述集电极层具有交替地形成的第一集电极层和第二集电极层，该第二集电极层具有比所述第一集电极层的杂质浓度低的杂质浓度， 所述表面区域包括位于所述第一集电极层的上方的第一表面区域和位于所述第二集电极层的上方的第二表面区域， 所述第二表面区域具有与所述第一表面区域不同的构造， 在所述第一表面区域中形成有空穴排出促进构造，该空穴排出促进构造是相比于将所述第一表面区域的构造设为与所述第二表面区域的构造相同的情况而言促进所述第一集电极层的上方的空穴的排出的构造， 所述空穴排出促进构造包括以下构造： 相对于在所述第二表面区域中的所述漂移层与所述基极层之间形成有杂质浓度高于所述漂移层的第一载流子蓄积层的构造，在所述第一表面区域中的所述漂移层与所述基极层之间未形成所述第一载流子蓄积层， 用于形成所述第二表面区域中的所述沟槽栅极的沟槽是通过贯通所述第一载流子蓄积层来形成的。

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