天津中能锂业有限公司孔德钰获国家专利权
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龙图腾网获悉天津中能锂业有限公司申请的专利超薄锂-掺杂铜箔复合带及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115528249B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110710045.8，技术领域涉及：H01M4/66；该发明授权超薄锂-掺杂铜箔复合带及其制备方法和应用是由孔德钰;郇庆娜;孙兆勇;陈强;牟瀚波;关知进设计研发完成，并于2021-06-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本超薄锂-掺杂铜箔复合带及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：公开了一种超薄锂‑掺杂铜箔复合带及其制备方法和应用。该超薄锂‑掺杂铜箔复合带中金属锂与铜箔基体界面结合强度高，掺杂铜箔中的掺杂元素在铜箔基体表面发生重排和偏析，可自行调节金属锂沉积的成核位点，可实现金属锂的均匀形核和沉积，有效抑制锂枝晶的生长。另外，掺杂铜箔中掺杂元素的加入不仅能细化晶粒、增加铜基材韧性，进而制备更薄的铜集流体，还可降低集流体铜元素占比，降低集流体成本。
本发明授权超薄锂-掺杂铜箔复合带及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种超薄锂-掺杂铜箔复合带，其特征在于，所述的复合带包括： 掺杂铜箔，其是含有掺杂元素的铜箔基体，所述掺杂元素以由表及里浓度递减的梯度分布方式分布于铜箔基体中，其中所述掺杂元素在所述铜箔基体本体中的质量分数为5%至60%，并且其中在所述铜箔基体的表面层中，所述掺杂元素以质量分数从75%至10%递减的方式分布；和 复合于所述表面层上的厚度为10纳米至100微米的超薄金属锂层， 其中所述掺杂元素包括能够同时与金属铜和金属锂形成合金的元素、能够与金属铜共熔且与金属锂形成合金的元素中的至少一种。
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