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龙图腾网获悉华虹半导体(无锡)有限公司申请的专利一种寄生的齐纳二极管制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115527853B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211086765.2，技术领域涉及：H10D8/01；该发明授权一种寄生的齐纳二极管制作方法是由方明旭;许昭昭;宋婉;陈华伦设计研发完成，并于2022-09-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种寄生的齐纳二极管制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种寄生的齐纳二极管制作方法，N型埋氧层上的P型外延层中形成有第一、第二P阱；第一P阱一侧形成有第一STI区；第二P阱侧形成有第二STI区；沉积多晶硅层并对其进行刻蚀去除第一、第二P阱之间以外的多晶硅层；光刻打开剩余的多晶硅层上的区域；在第一、第二P阱之间的P型外延层中形成P型体区；去除被打开的区域的第一多晶硅结构的部分，靠近第一STI区剩余的部分形成为第二多晶硅结构；靠近第二STI区剩余的部分形成为第三多晶硅结构；去除第二、第三多晶硅结构之下以外的栅氧层。本发明使用SNLDMOS中P型体区注入形成N+区和P型体区，供齐纳二极管使用，无需增加额外的光罩，工艺简单，可以简化工艺。

本发明授权一种寄生的齐纳二极管制作方法在权利要求书中公布了：1.一种寄生的齐纳二极管制作方法，其特征在于，至少包括： 步骤一、提供P型外延层，所述P型外延层中形成有N型埋氧层；所述N型埋氧层之上的所述P型外延层中形成有彼此相互间隔的第一P阱和第二P阱；所述P型外延层的上表面形成有栅氧层；所述第一P阱靠近所述第二P阱的一侧形成有与所述第一P阱相衔接的第一STI区；所述第二P阱靠近所述第一P阱的一侧形成有与所述第二P阱相衔接的第二STI区； 步骤二、在所述栅氧层上沉积多晶硅层； 步骤三、对所述多晶硅层进行刻蚀，去除所述栅氧层之上、位于所述第一P阱和第二P阱之间以外的所述多晶硅层；剩余的所述多晶硅层形成第一多晶硅结构； 步骤四、旋涂光刻胶，并光刻打开位于所述第一、第二STI区之间的所述第一多晶硅结构上的区域；之后通过光刻被打开的所述区域在所述第一、第二P阱之间的所述P型外延层中注入硼和砷，形成P型体区； 步骤五、以剩余光刻胶为掩膜，刻蚀去除光刻被打开的所述区域的所述第一多晶硅结构的部分，靠近所述第一STI区剩余的所述第一多晶硅结构的部分形成为第二多晶硅结构；靠近所述第二STI区剩余的所述第一多晶硅结构的部分形成为第三多晶硅结构； 步骤六、去除剩余光刻胶； 步骤七、刻蚀去除分别位于所述第二、第三多晶硅结构之下以外的所述栅氧层；并在所述第二、第三多晶硅结构之间的所述P型体区形成第一N+区；之后进行退火处理。

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