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龙图腾网获悉西安电子科技大学芜湖研究院申请的专利同轴穿透硅通孔热应力耦合优化设计方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115526141B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211009626.X，技术领域涉及：G06F30/398；该发明授权同轴穿透硅通孔热应力耦合优化设计方法是由谌东东;梁伊;李迪设计研发完成，并于2022-08-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本同轴穿透硅通孔热应力耦合优化设计方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种同轴穿透硅通孔热应力耦合优化设计方法，涉及三维集成电路设计技术领域，包括：构建同轴穿透硅通孔的温度场和应力场耦合的有限元模型；进行有限元模拟仿真实验，获取同轴穿透硅通孔的设计参数与峰值温度数据库和设计参数与峰值应力数据库；构建同轴穿透硅通孔的峰值温度映射关系模型；构建同轴穿透硅通孔的峰值应力映射关系模型；基于峰值温度映射关系模型和峰值应力映射关系模型，构建同轴穿透硅通孔的峰值温度和峰值应力的多目标优化函数；基于峰值温度映射关系模型和峰值应力映射模型，以及多目标优化函数，利用优化算法优化同轴穿透硅通孔的设计参数。本申请能够提高集成电路的设计效率。

本发明授权同轴穿透硅通孔热应力耦合优化设计方法在权利要求书中公布了：1.一种同轴穿透硅通孔热应力耦合优化设计方法，其特征在于，包括： 构建同轴穿透硅通孔的温度场和应力场相互耦合的有限元模型； 根据正交设计原理，进行有限元模拟仿真实验，获取同轴穿透硅通孔的设计参数与峰值温度数据库，同时获取同轴穿透硅通孔的设计参数与峰值应力数据库； 基于所述设计参数与峰值温度数据库，构建所述同轴穿透硅通孔的峰值温度映射关系模型；基于所述设计参数与峰值应力数据库，构建所述同轴穿透硅通孔的峰值应力映射关系模型； 基于所述峰值温度映射关系模型和所述峰值应力映射关系模型，构建所述同轴穿透硅通孔的峰值温度和峰值应力的多目标优化函数；所述峰值温度映射关系模型和所述峰值应力映射关系模型通过支持向量机模型构建；基于所述支持向量机模型，分别构建体峰值温度映射关系模型、体峰值应力映射关系模型、铜柱峰值应力映射关系模型和铜环峰值应力映射关系模型； 基于所述峰值温度映射关系模型和所述峰值应力映射关系模型，以及所述多目标优化函数，利用粒子群优化算法优化所述同轴穿透硅通孔的设计参数。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人西安电子科技大学芜湖研究院，其通讯地址为：241002 安徽省芜湖市弋江区高新技术产业开发区科技产业园7号楼；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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