三星显示有限公司;弘益大学产学合作团高崙赫获国家专利权
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龙图腾网获悉三星显示有限公司;弘益大学产学合作团申请的专利量子点、量子点制备方法、包括量子点的光学构件和包括量子点的电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115485351B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180025536.7，技术领域涉及：C09K11/02；该发明授权量子点、量子点制备方法、包括量子点的光学构件和包括量子点的电子设备是由高崙赫;杨熙善;李昌熙;金京慧;金成云;赵亭镐设计研发完成，并于2021-03-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本量子点、量子点制备方法、包括量子点的光学构件和包括量子点的电子设备在说明书摘要公布了：提供了量子点、量子点制备方法、包括该量子点的光学构件和包括该量子点的电子设备，每个量子点包括：核，包括铟In、A1和A2；以及壳，覆盖核，其中，A1是V族元素，A2是除了铟之外的III族元素，核包括第一区域和覆盖第一区域的第二区域，第一区域不包括A2且包括铟和A1，第二区域包括铟、A1和A2，并且铟和A2在第二区域中彼此合金化。
本发明授权量子点、量子点制备方法、包括量子点的光学构件和包括量子点的电子设备在权利要求书中公布了：1.一种量子点，所述量子点包括： 核，包括铟、A1和A2；以及 壳，覆盖所述核，其中， A1是氮、磷、砷、锑或它们的任何组合， A2是铝、镓或它们的任何组合， 所述核包括第一区域和覆盖所述第一区域的第二区域， 所述第一区域不包括A2，并且包括铟和A1， 所述第二区域包括In、A1和A2， In和A2在所述第二区域中彼此合金化， 所述第一区域包括InN、InP、InAs、InSb、InNP、InNAs、InNSb、InPAs或InPSb， 所述第二区域包括InGaN、InGaP、InGaAs、InGaSb、InGaNP、InGaNAs、InGaNSb、InGaPAs、InGaPSb、InAlN、InAlP、InAlAs、InAlSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs、InAlPSb、InGaAlN、InGaAlP、InGaAlAs、InGaAlSb、InGaAlNP、InGaAlNAs、InGaAlNSb、InGaAlPAs或InGaAlPSb，并且 包括在所述第二区域中的A2的浓度具有其中A2的所述浓度沿着从所述第一区域与所述第二区域之间的界面朝向所述核的表面的方向逐渐地增大的浓度梯度。
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