天津巴莫科技有限责任公司陈德贤获国家专利权
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龙图腾网获悉天津巴莫科技有限责任公司申请的专利三元正极材料及其制备方法、正极极片、二次电池和电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115472817B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211035117.4，技术领域涉及：H01M4/505；该发明授权三元正极材料及其制备方法、正极极片、二次电池和电子设备是由陈德贤;王慧敏;李琪;吕菲;徐宁设计研发完成，并于2022-08-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本三元正极材料及其制备方法、正极极片、二次电池和电子设备在说明书摘要公布了：本申请提供一种三元正极材料及其制备方法、正极极片、二次电池和电子设备，三元正极材料包括含有掺杂区的三元正极材料基体，其中，所述掺杂区包括掺杂在所述三元正极材料基体的体相内部的富铝掺杂区和掺杂在所述三元正极材料基体的表层的富钛掺杂区。本申请提供的三元正极材料能够提升二次电池的结构稳定性及循环性能。
本发明授权三元正极材料及其制备方法、正极极片、二次电池和电子设备在权利要求书中公布了：1.一种三元正极材料，其特征在于，包括： 含有掺杂区的三元正极材料基体，其中，所述掺杂区包括分布在所述三元正极材料基体的体相内部的富铝掺杂区和分布在所述三元正极材料基体的表层的富钛掺杂区； 所述三元正极材料的制备方法包括： 提供三元正极前驱体和含MAX型化合物掺杂剂的溶胶； 对所述三元正极前驱体、所述含MAX型化合物掺杂剂的溶胶和锂盐进行混合处理，制备预掺杂料； 对所述预掺杂料进行分段烧结处理，使三元正极材料基体中形成掺杂区，所述分段烧结处理包括第一次烧结处理和第二次烧结处理，所述第一次烧结处理在400℃~500℃下进行，所述第二次烧结处理在700℃~1000℃进行；其中，所述掺杂区包括分布在所述三元正极材料基体的体相内部的富铝掺杂区和分布在所述三元正极材料基体的表层的富钛掺杂区。
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