华东理工大学吴永真获国家专利权
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龙图腾网获悉华东理工大学申请的专利一类含氰基磷酸单元的空穴传输材料、制备方法及其用途获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115403619B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210922068.X，技术领域涉及：C07F9/38；该发明授权一类含氰基磷酸单元的空穴传输材料、制备方法及其用途是由吴永真;张硕;姬晓宇;张惠栋;朱为宏设计研发完成，并于2022-08-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本一类含氰基磷酸单元的空穴传输材料、制备方法及其用途在说明书摘要公布了：本发明涉及一类含氰基磷酸单元的空穴传输材料、制备方法及其应用，具有式Ⅰ～Ⅳ所示结构：式中：R为氢，烷基，烷氧基，烷硫基或苯基。本发明含氰基磷酸单元的空穴传输材料可应用在制备钙钛矿太阳能电池的空穴传输层中。相对于现有p‑i‑n型钙钛矿电池的有机空穴传输层，该类空穴传输层具有稳定性好，易于加工，不含掺杂剂以及成本低廉等优点，同时其优异的电荷选择能力使得能够获得高效稳定的钙钛矿电池器件。
本发明授权一类含氰基磷酸单元的空穴传输材料、制备方法及其用途在权利要求书中公布了：1.一类含氰基磷酸单元的空穴传输材料在制备钙钛矿太阳能电池中的应用，其特征在于，所述含氰基磷酸单元的空穴传输材料结构如下所示： 所述钙钛矿太阳能电池包括：以导电氧化铟锡或氟掺杂氧化锡玻璃作为光阴极，含氰基磷酸单元的空穴传输材料为空穴传输层，有机无机杂化钙钛矿作为光活性层，[6,6]-苯基-C61-丁酸甲酯为电子传输层，浴铜灵为空穴阻挡层。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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