苏州紫灿科技有限公司岳金顺获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州紫灿科技有限公司申请的专利一种具有提高发光效率功能的AlN薄膜及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115394890B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211078097.9，技术领域涉及：H10H20/825；该发明授权一种具有提高发光效率功能的AlN薄膜及其制备方法是由岳金顺;张骏;张毅;陈云;陈景文设计研发完成，并于2022-09-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种具有提高发光效率功能的AlN薄膜及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种具有提高发光效率功能的AlN薄膜及其制备方法，该制备方法包括如下步骤：取非极性或半极性的蓝宝石衬底，在蓝宝石衬底上生长第一AlN模板层；对第一AlN模板层进行正压退火处理，使第一AlN模板层重结晶并形成AlN重结晶层；在AlN重结晶层上生长第二AlN模板层，得到具有提高发光效率功能的AlN薄膜。本发明通过在两层AlN模板层之间进行适宜的正压退火处理调控，使AlN重结晶，配合非极性或半极性的蓝宝石衬底，提高了AlN薄膜生长过程中Al的迁移率，减少了位错和层错，从而能够提高了AlN薄膜的品质，同时使相应深紫外LED外延片的光电转换效率也得到提升。
本发明授权一种具有提高发光效率功能的AlN薄膜及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种具有提高发光效率功能的AlN薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： 取非极性或半极性的蓝宝石衬底，在所述蓝宝石衬底上生长第一AlN模板层；所述蓝宝石衬底的生长面为a面、r面或m面中任意一种； 对所述第一AlN模板层进行正压退火处理，使所述第一AlN模板层重结晶并形成AlN重结晶层； 在所述AlN重结晶层上生长第二AlN模板层，得到具有提高发光效率功能的AlN薄膜； 采用金属有机化学气相沉积法或氢化物气相外延法生长所述第一AlN模板层和第二AlN模板层； 所述正压退火的具体工艺为： 将第一AlN模板层放入高温炉中，抽真空至0.1mbar气压以下； 通入氩气和氨气，氩气与氨气的体积比为100:1~1000:1，将总气流压强逐渐升至退火压强； 保持所述退火压强，将温度升高至1500℃~1900℃，并进行退火，退火持续时间为600~1800s，退火完成后自然降温至室温。
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