联华电子股份有限公司王慧琳获国家专利权
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龙图腾网获悉联华电子股份有限公司申请的专利磁阻式随机存取存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115377283B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110533886.6，技术领域涉及：H10N50/10；该发明授权磁阻式随机存取存储器是由王慧琳;蔡锡翰;吴东明;翁宸毅;许清桦;范儒钧;林奕佑;张哲维;许博凯;张境尹设计研发完成，并于2021-05-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本磁阻式随机存取存储器在说明书摘要公布了：本发明公开一种磁阻式随机存取存储器，其主要包含第一阵列区域以及第二阵列区域设于基底上，第一磁性隧穿结magnetictunnelingjunction,MTJ设于第一阵列区域，第一上电极设于该第一MTJ上，第二MTJ设于该第二阵列区域以及第二上电极设于该第二MTJ上，其中第一上电极与第二上电极包含不同氮对钛比例。
本发明授权磁阻式随机存取存储器在权利要求书中公布了：1.一种磁阻式随机存取存储器，其特征在于，包含： 第一阵列区域以及第二阵列区域，设于基底上； 第一磁性隧穿结，设于该第一阵列区域； 第一上电极，设于该第一磁性隧穿结上； 第二磁性隧穿结，设于该第二阵列区域；以及 第二上电极，设于该第二磁性隧穿结上，其中该第一上电极以及该第二上电极包含不同氮对钛比例。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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