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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利支持薄膜晶体管层叠选择的存储器设备和方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115376575B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210516305.2，技术领域涉及：G11C8/08；该发明授权支持薄膜晶体管层叠选择的存储器设备和方法是由D·维梅尔卡蒂设计研发完成，并于2022-05-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本支持薄膜晶体管层叠选择的存储器设备和方法在说明书摘要公布了：本申请案是针对存储器装置中的薄膜晶体管层叠选择。存储器装置可包含布置在形成于衬底上方的层叠堆叠中的存储器阵列，及分布在所述层之间以利用共用的基于衬底的电路系统的层叠选择组件。例如，所述堆叠的每一存储器阵列可包含对应层叠的一组数字线，及可操作以将所述组数字线与在多个层叠之间共享的列解码器耦合的层叠选择电路系统。为了存取一个层叠上的所选择存储器阵列的存储器单元，可各自激活对应于所述存储器阵列的所述层叠选择电路系统，而可去激活对应于另一层叠上的非所选择存储器阵列的所述层叠选择电路系统。所述层叠选择电路系统，例如晶体管，可利用薄膜制造技术，例如用于形成垂直晶体管的各种技术。

本发明授权支持薄膜晶体管层叠选择的存储器设备和方法在权利要求书中公布了：1.一种设备，其包括： 感测组件，其可操作用于感测存储器裸片的存储器单元； 所述存储器裸片的列解码器，其可操作以与所述感测组件耦合； 第一存储器阵列，其与所述存储器裸片的衬底上面的第一层级相关联，所述第一存储器阵列包括所述存储器单元的第一子组及多个第一数字线，每一第一数字线可操作以经由所述第一层级的相应第一晶体管与所述列解码器耦合； 第二存储器阵列，其与所述第一层级相关联，所述第二存储器阵列包括所述存储器单元的第二子组及多个第二数字线，每一第二数字线可操作以经由所述第一层级的相应第二晶体管与所述列解码器耦合； 第三存储器阵列，其与所述存储器裸片的所述衬底上面的第二层级相关联，所述第三存储器阵列包括所述存储器单元的第三子组及多个第三数字线，每一第三数字线可操作以经由所述第一层级的相应第三晶体管与所述列解码器耦合；及 第四存储器阵列，其与所述第二层级相关联，所述第四存储器阵列包括所述存储器单元的第四子组及多个第四数字线，每一第四数字线可操作以经由所述第一层级的相应第四晶体管与所述列解码器耦合。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人美光科技公司，其通讯地址为：美国爱达荷州；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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